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MBN100GR12D 发布时间 时间:2025/9/7 0:28:34 查看 阅读:3

MBN100GR12D 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的功率模块,属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块系列。该模块集成了IGBT芯片和反并联二极管,适用于高功率和高效率的电力电子应用。该模块采用双管(Dual)拓扑结构,适用于逆变器、电机驱动和可再生能源系统等应用。其设计注重热性能和电气性能的平衡,以满足工业应用中对可靠性和效率的严格要求。

参数

类型:IGBT模块
  拓扑结构:Dual(双管)
  额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):100A
  芯片技术:IGBT4
  短路耐受能力:6μs
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装类型:双列直插式封装(Dual Inline Package, DIP)
  热阻(Rth):约0.38°C/W(模块到散热器)
  最大工作结温:150°C
  安装方式:螺钉安装
  绝缘等级:符合UL标准

特性

MBN100GR12D 模块采用了富士电机先进的IGBT4芯片技术,具有低导通压降和优异的开关损耗特性。其双管结构允许模块在一个封装内实现两个IGBT和对应的反并联二极管,适用于半桥拓扑结构。模块的封装设计确保了良好的热管理和机械稳定性,适用于高功率密度的设计需求。
  此外,该模块的短路耐受能力为6μs,能够在极端工况下提供更高的可靠性和保护能力。其低热阻特性有助于提高模块的散热效率,从而延长使用寿命并减少系统维护需求。

应用

MBN100GR12D 主要应用于工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电能质量控制设备(如UPS和有源滤波器)以及电动车辆的电力电子系统。其高性能和高可靠性使其成为各种高功率应用的理想选择。

替代型号

MBN100GR12E, MBN100GA120, MBN75GR12D

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