您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CS24C02MO

CS24C02MO 发布时间 时间:2025/8/1 22:59:59 查看 阅读:11

CS24C02MO 是一款由Cissant(西珊半导体)生产的串行EEPROM存储器芯片,容量为2K位,属于I2C总线接口的EEPROM器件。这款芯片广泛应用于需要低功耗、小体积和高可靠性的数据存储场景,例如嵌入式系统、工业控制设备、智能仪表以及消费类电子产品。CS24C02MO支持I2C总线通信协议,允许用户通过简单的两线接口进行数据的读写操作,具有较高的灵活性和易用性。其内部采用CMOS工艺,具备低功耗、高噪声抑制能力等优点,适合在多种工作环境下使用。

参数

容量:2Kbit
  接口类型:I2C总线
  电压范围:1.7V - 5.5V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:SOP8、TSSOP8
  最大时钟频率:400kHz(1.7V - 5.5V)
  写入周期:10^6次擦写
  数据保留时间:100年
  页面大小:16字节

特性

CS24C02MO具有多种优良特性,使其适用于广泛的应用场景。首先,其支持1.7V至5.5V的宽电压范围,使芯片能够在不同电源条件下稳定工作,增强了系统的兼容性。其次,该芯片采用了I2C总线接口,仅需两根信号线(SDA和SCL)即可完成数据的读写操作,极大地简化了硬件连接,降低了PCB布线的复杂度。此外,CS24C02MO内置写入保护功能,用户可以通过硬件引脚(WP)控制写入操作,防止意外数据修改,提高了数据的安全性。
  该芯片支持高达400kHz的时钟频率,能够满足大多数中低速应用的数据传输需求。同时,其内部页面写入机制支持每次最多16字节的数据连续写入,提高了写入效率。CS24C02MO的擦写寿命可达100万次,数据保存时间长达100年,具备极高的可靠性。在封装方面,CS24C02MO提供SOP8和TSSOP8两种封装形式,适合空间受限的便携设备和高密度电路设计。
  此外,CS24C02MO采用CMOS工艺制造,具有低功耗运行特性,待机电流极低,非常适合电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。该芯片还具备较强的抗干扰能力,能够在工业环境下稳定工作。

应用

CS24C02MO通常用于需要非易失性存储器来保存配置信息、校准数据或用户设置的电子设备中。例如,在智能电表中,该芯片可用于存储用户的用电记录和设备参数;在消费类电子产品如智能手环、智能手表中,CS24C02MO可用于保存设备的个性化设置和传感器校准数据;在工业控制系统中,该芯片可用于存储系统配置、设备ID和故障记录等关键信息。此外,CS24C02MO也适用于各种需要小容量、高可靠性存储的物联网设备、安防设备和医疗设备中。

替代型号

AT24C02D-SSHM-T, FM24C02-G, 24LC02B-I/P

CS24C02MO推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价