类型：DRAM
　　密度：1Mbit (128K × 8)
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V（典型5V）
　　访问时间：60ns
　　封装形式：28-pin DIP 或 28-pin SOJ
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　刷新周期：8ms（典型）
　　数据宽度：8位
　　地址复用方式：行/列地址多路复用
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大工作频率：约16.67MHz（基于60ns周期）

MBM81C1000A-60具备典型的异步DRAM架构特性，采用地址多路复用技术，通过分时传输行地址和列地址来减少引脚数量，从而实现高密度集成的同时降低封装成本。其60纳秒的快速存取时间使其适用于对性能有一定要求但不需要同步总线支持的应用场景。该芯片内部结构由存储阵列、灵敏放大器、地址锁存器、控制逻辑及刷新电路组成，支持标准的RAS-only刷新、CAS-before-RAS（CBR）刷新等多种刷新模式，确保在长时间运行过程中数据的完整性与稳定性。
　　该器件采用CMOS工艺制造，具有相对较低的静态功耗，在待机或空闲状态下能够有效节约能源，适合用于便携式设备或对功耗敏感的系统设计。此外，其输入输出接口完全兼容TTL电平，可以直接与大多数微处理器、微控制器和逻辑电路连接，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。MBM81C1000A-60还支持页模式操作，允许在同一个行地址下连续访问多个列地址，显著提升了连续数据读写的吞吐率，特别适用于图形显示缓冲、数据采集缓存等需要突发传输能力的场合。
　　值得一提的是，该芯片具备良好的抗干扰能力和稳定性，在工业级环境条件下表现可靠。虽然未集成自刷新功能（部分后续型号支持），但仍可通过外部控制器精确管理刷新周期，保证数据不丢失。整体而言，MBM81C1000A-60以其成熟的技术、稳定的性能和广泛的兼容性，在当时的嵌入式存储领域占据了重要地位，并为后续DRAM技术的发展奠定了基础。

MBM81C1000A-60曾广泛应用于多种电子系统中，尤其是在20世纪末至21世纪初的工业控制设备、老式个人计算机、打印机、传真机、网络通信模块以及测试测量仪器中扮演关键角色。由于其128K×8的组织结构和60ns的访问速度，它常被用作微处理器系统的主内存扩展或外设数据缓冲区，例如在基于Z80、8051、68000等架构的嵌入式系统中作为程序和数据存储介质。
　　在图形终端和早期单板计算机中，该芯片可用于存储显示内容，配合视频控制器实现字符或简单图形的输出。此外，在电信交换设备和调制解调器中，MBM81C1000A-60也用于帧缓冲、协议处理中间数据暂存等任务。由于其引脚排列符合JEDEC标准，因此可方便地进行并联扩展，构建更大容量的内存阵列，满足不同系统的需求。
　　目前，虽然该型号已不再主流生产，但在设备维修、备件替换、军工设备维护以及某些专用控制系统升级项目中仍有实际需求。尤其是一些长期服役的工业自动化设备，仍在使用基于此类DRAM的主板设计，因此MBM81C1000A-60及其兼容型号对于保障系统持续运行具有重要意义。

IS42S12800A-60BL