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MBM29Z0008-70PBT-01ERE1 发布时间 时间:2025/8/9 0:58:52 查看 阅读:27

MBM29Z0008-70PBT-01ERE1 是一款由富士通(Fujitsu)生产的闪存存储器芯片,属于其MBM29Z系列。该芯片是一种NOR型Flash存储器,具有高性能和高可靠性,广泛用于需要快速读取和频繁更新数据的应用场景。MBM29Z0008-70PBT-01ERE1采用56引脚TSOP封装,适合在工业控制、通信设备和嵌入式系统中使用。

参数

存储类型: NOR Flash
  容量: 8Mbit (1M x 8)
  工作电压: 2.7V - 3.6V
  读取访问时间: 70ns
  封装类型: 56-TSOP
  工作温度范围: -40°C 至 +85°C
  接口类型: 并行
  时钟频率: 无内置时钟(异步)
  写入周期寿命: 10万次

特性

MBM29Z0008-70PBT-01ERE1 采用先进的闪存技术,提供了高速读取和可靠的非易失性存储解决方案。其70ns的访问时间确保了快速的数据检索,适用于需要实时处理的应用。芯片支持异步操作,无需外部时钟信号,简化了系统设计。此外,该芯片具备10万次的擦写寿命,确保了长时间的稳定运行。其宽温工作范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种恶劣的工业环境。
  MBM29Z0008-70PBT-01ERE1 还集成了多种保护机制,包括硬件写保护、软件数据保护以及低电压检测功能,防止在电源不稳定的情况下对存储内容造成损坏。该芯片的并行接口设计使其与多种微控制器和嵌入式系统兼容,便于集成到现有系统中。
  这款Flash存储器的封装形式为56-TSOP,体积小巧,便于在紧凑型电子设备中安装。其供电电压范围为2.7V至3.6V,能够适应多种电源供应方案,提高了系统的灵活性和稳定性。

应用

该芯片广泛应用于工业自动化设备、通信模块、嵌入式控制系统、网络设备、测量仪器以及消费类电子产品中。由于其快速读取能力和高可靠性,特别适用于需要频繁读取和偶尔更新数据的场景,如固件存储、程序存储、配置数据保存等。

替代型号

S29GL008S-70TFFI010, AM29LV008BT-70EC

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