MBM29LV160TE-70PBT是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的16位、1MB容量的闪存芯片。这款芯片属于并行NOR闪存类型,广泛用于需要快速读取和非易失性存储的嵌入式系统应用中。它的主要特点是低功耗设计、高可靠性和宽工作温度范围,适合在工业和汽车环境中使用。该芯片采用56引脚TSOP封装,适用于多种嵌入式设备的固件存储需求。
存储容量:1MB
数据宽度:16位
封装类型:TSOP(56引脚)
电源电压:2.7V至3.6V
读取访问时间:70ns
工作温度范围:-40°C至+85°C
编程/擦除电压:内部电荷泵生成
接口类型:并行(NOR Flash)
擦除块大小:多个可配置的扇区(包括16KB、8KB、32KB等)
封装尺寸:18mm x 20mm
MBM29LV160TE-70PBT具有多项高性能特性,以满足嵌入式系统的严格要求。首先,它支持低功耗操作,在待机模式下电流消耗非常低,这使得它非常适合电池供电设备使用。其次,芯片提供多种扇区擦除选项,允许用户根据具体应用需求选择合适的擦除粒度,从而提高存储管理效率。此外,该芯片具有高耐久性,支持多达10万次的擦写周期,确保了长期使用的可靠性。其内置的ECC(错误校正码)机制增强了数据完整性,有助于防止数据丢失或损坏。最后,MBM29LV160TE-70PBT的宽工作温度范围使其能够在恶劣的工业或汽车环境中稳定运行。
该芯片广泛应用于各种嵌入式系统中,如工业控制系统、通信设备、医疗仪器、消费电子产品和汽车电子模块等。在这些应用中,MBM29LV160TE-70PBT主要用于存储固件、引导代码、图形数据和配置信息等。由于其低功耗和宽温度范围的特性,特别适合用于需要长期稳定运行的工业设备和车载系统。
AM29LV160DB-70REI、S29AL016J70T103、M58LR161EBB70Z