BSS138BK,215 时间：2025/9/15 2:00:16 阅读：14

BSS138BK,215 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件特别适用于需要低导通电阻和高开关速度的低压应用。BSS138BK,215 采用小型封装（SOT-23），适用于空间受限的设计，是许多电源管理和信号切换应用的理想选择。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　漏极电流（Id）：100 mA
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大）
　　功率耗散：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

BSS138BK,215 MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种低压控制和信号切换应用。
　　这款MOSFET的导通电阻较低，通常在5Ω以下，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。同时，其高开关速度使其适用于高频操作，适合在需要快速响应的电路中使用。
　　此外，BSS138BK,215 的SOT-23封装形式使其成为便携式设备和空间受限设计的理想选择。该器件具有较高的耐压能力，漏源电压可达到100V，能够在较宽的电压范围内稳定运行。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路的设计，包括微控制器驱动和逻辑电平接口应用。

应用

BSS138BK,215 MOSFET广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要低功耗和高开关频率的场景下。
　　常见的应用包括电源管理电路、电池供电设备中的负载开关、LED驱动电路、信号切换电路、逻辑电平转换器、继电器替代电路以及自动化控制系统中的执行器驱动。
　　此外，该器件还可用于通信设备中的射频（RF）信号控制、工业控制系统的传感器接口电路、汽车电子系统中的辅助电源管理模块等。
　　由于其SOT-23封装的小型化特点，BSS138BK,215也常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中。