MBM29LV160B是一款由富士通(Fujitsu)生产的16位非易失性闪存(Flash Memory)芯片,属于其MBM29LV系列的产品。该芯片主要用于嵌入式系统中,作为程序存储和数据存储的介质。MBM29LV160B采用CMOS工艺制造,具备低功耗、高性能和高可靠性等特点。该芯片支持多种操作模式,包括读取、写入、擦除和编程等,适用于工业控制、消费电子、通信设备等多种应用场景。
类型:Flash Memory
容量:16 Mbit(2MB)
组织结构:1M x16
电源电压:2.7V - 3.6V
访问时间:55ns、70ns、90ns可选
封装形式:48-TSOP、56-TSOP、56-BGA等
工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
读取电流:典型值为5mA
编程/擦除电流:典型值为20mA
待机电流:最大10μA
支持的接口:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)
擦除块大小:可变块结构(支持不同大小的擦除块)
写保护功能:硬件写保护(WP#引脚)和软件写保护
自动擦除和编程算法:内置
MBM29LV160B具备多项先进的技术特性,使其在嵌入式系统中表现出色。首先,该芯片支持低电压操作,工作电压范围为2.7V至3.6V,符合低功耗和便携式设备的需求。其次,MBM29LV160B具有较高的读取速度,访问时间最低可达55ns,适用于对响应时间要求较高的应用。该芯片的存储结构为1M x16位,提供16位并行接口,支持快速的数据传输。MBM29LV160B还具备灵活的擦除块结构,支持多个不同大小的擦除块,用户可以根据需要选择擦除部分存储区域,避免全盘擦除带来的不便。此外,该芯片内置自动擦除和编程算法,简化了系统软件的开发复杂度,提高了操作效率。MBM29LV160B还具备硬件写保护(WP#引脚)和软件写保护功能,防止数据在意外情况下被修改或擦除,提升了数据安全性。在可靠性方面,该芯片支持超过10万次的擦写周期,并具有10年以上数据保持能力,适合长期运行的应用环境。
MBM29LV160B广泛应用于各种嵌入式系统中,如工业控制设备、智能仪表、通信模块、网络设备、消费类电子产品(如打印机、数码相机)以及汽车电子系统等。由于其高性能、低功耗和高可靠性,该芯片特别适合用于需要频繁更新固件或存储关键数据的场合。
AM29LV160DB, MX29LV160BBTC-70G, S29AL016J3BCR2-G