型号：MBM27C64
　　制造商：Fujitsu
　　存储容量：8K x 8位（64Kb）
　　封装类型：28-DIP、28-PLCC等
　　工作电压：+4.5V 至 +5.5V（典型5V）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　访问时间（最大）：120ns / 150ns / 200ns（依具体子型号而定）
　　编程电压：+12.5V 至 +13.5V（Vpp）
　　读取模式电流：≤ 30mA（典型）
　　待机电流：≤ 100μA（典型）
　　擦除方式：紫外线擦除（波长253.7nm，能量≥15W·sec/cm2）
　　数据保持时间：≥ 10年（常温下）
　　编程脉冲宽度：50μs（典型）
　　输入逻辑电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：8个LS-TTL负载

MBM27C64具备多项优异的电气与物理特性，使其在当时的EPROM产品中具有较强的竞争力。首先，其采用先进的CMOS工艺制造，显著降低了功耗，尤其是在待机或静态读取状态下，电流消耗极低，通常不超过100微安，这使得它非常适合用于对功耗敏感的系统中。其次，该芯片提供多种速度等级（如120ns、150ns、200ns），用户可根据系统时序要求选择合适型号，实现性能与成本之间的平衡。在可靠性方面，MBM27C64经过严格的质量控制和老化测试，确保在商业温度范围内稳定运行。其内部存储阵列设计优化了编程效率和数据保持能力，支持标准编程算法，可在通用EPROM编程器上完成烧录操作。编程时需施加约12.5V至13.5V的高压（Vpp），用于激活浮栅晶体管的注入机制，完成数据写入。此外，芯片顶部设有透明石英窗口，允许紫外线穿透以实现整片擦除，这一设计便于开发阶段反复调试与更新固件。封装结构坚固，引脚间距符合标准，便于手工焊接或自动插装。MBM27C64还具备良好的抗干扰能力和噪声抑制特性，输出端集成了缓冲驱动电路，可直接驱动多个TTL负载，增强了系统的兼容性和稳定性。虽然现代系统更多采用电可擦除的EEPROM或Flash存储器，但MBM27C64因其高可靠性和长期供货记录，在某些工业控制、医疗设备维护及军事应用中仍被视为可靠的替代方案。
　　值得一提的是，MBM27C64完全兼容JEDEC标准的27C64指令集和引脚排列，这意味着它可以无缝替代其他厂商如Intel、Atmel、STMicroelectronics等出品的同类产品，极大提升了系统设计的灵活性。同时，富士通在其产品文档中提供了详尽的数据手册，涵盖直流特性、交流时序图、编程规范及封装尺寸信息，便于工程师进行电路设计与故障排查。由于其非易失性存储特性，即使断电后数据也不会丢失，只要避免长时间暴露在强光或紫外线下，数据可长期保存。此外，该芯片对静电防护也有一定要求，建议在操作时采取防静电措施以防止损伤内部电路。总体而言，MBM27C64是一款成熟、稳定、易于使用的EPROM器件，代表了上世纪末期主流非易失性存储技术的发展水平。

MBM27C64主要应用于需要固化程序代码或固定数据存储的电子系统中。典型应用领域包括工业自动化控制系统，例如PLC（可编程逻辑控制器）中的固件存储，用于保存机器运行逻辑和控制流程；在通信设备中，如调制解调器、交换机接口模块中用作引导程序（Bootloader）存储器；在老式计算机系统和单板机中作为BIOS或监控程序的载体；此外，在仪器仪表、数控机床、医疗设备以及汽车电子原型开发中也有广泛应用。由于其支持紫外线擦除和重复编程，特别适合研发阶段频繁修改固件的场景，工程师可以通过擦除旧程序并重新烧录新版本来快速迭代软件功能。在教育和实验环境中，MBM27C64也常被用于微处理器实验板或嵌入式系统教学平台，帮助学生理解存储器工作原理和程序烧录过程。另外，在一些无法使用现代闪存或缺乏在线编程接口的遗留系统维护中，该芯片仍是关键的备件之一。其TTL兼容的输入输出特性使其能够轻松集成到基于5V逻辑的传统数字电路中，无需额外电平转换电路。尽管目前新型设计已普遍转向SPI/I2C接口的小型化串行闪存或嵌入式Flash MCU，但在某些高可靠性或长生命周期项目中，MBM27C64依然具备不可替代的作用。

27C64
　　FM27C64
　　AT27C64
　　MN27C64
　　HY27C64