型号：MBM27C128-20CZ-G
　　制造商：Fujitsu (现Infineon/Cypress)
　　存储容量：128 Kbit (16K x 8)
　　封装类型：28-pin DIP 或 PLCC
　　访问时间：200 ns
　　工作电压：+5V ±10%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　编程电压：VPP = +12.5V 或 +21V（取决于版本）
　　待机电流：≤100 μA
　　读取电流：≤40 mA
　　擦除方式：紫外线照射（约15–20分钟，波长253.7nm）
　　编程方法：由专用编程器完成，地址/数据锁存模式

MBM27C128-20CZ-G具备多项关键特性，使其在传统EPROM应用领域中表现卓越。首先，其128Kbit的存储空间以16K字节的形式组织，适合存放中小型固件程序或固定数据表，广泛应用于微控制器系统中的启动代码存储。该芯片采用CMOS工艺制造，在确保高速性能的同时有效降低了动态和静态功耗，尤其在待机状态下电流低于100μA，显著优于早期NMOS型EPROM器件，提升了系统的能效比。
　　其次，该器件具有出色的电气稳定性与抗噪声能力，所有输入端均内置施密特触发器，增强了对信号抖动和传输线反射的容忍度，从而提高了系统在工业电磁干扰环境下的可靠性。它完全兼容TTL电平接口，可直接与大多数8位或16位微处理器（如Intel 8086、8051系列、Z80等）无缝连接，无需额外的电平转换电路，简化了硬件设计。
　　再者，MBM27C128-20CZ-G支持标准的编程和擦除流程。编程时需提供+12.5V或+21V的VPP电压（具体依版本而定），通过通用EPROM编程器完成写入操作；擦除则依赖紫外线透过芯片顶部的石英窗口照射内部浮栅晶体管，清除原有电荷，实现重复使用。这种物理擦除机制虽然不如现代Flash便捷，但提供了极高的数据保持能力（通常超过10年）和抗辐射能力，适用于安全关键或长期部署的应用。
　　封装方面，该芯片提供28引脚DIP和PLCC两种形式，其中DIP版本便于手工焊接和更换，常用于开发原型或维修场景；PLCC版本则更适合表面贴装自动化生产。此外，“Z”和“G”后缀表明该器件符合环保要求，采用无铅材料和绿色封装工艺，满足RoHS指令，适应现代电子产品的环保规范。尽管该器件已逐步被EEPROM和Flash取代，但由于其成熟可靠、供货渠道稳定，仍在工控设备替换、教育实验平台及遗留系统维护中发挥重要作用。

MBM27C128-20CZ-G广泛应用于多种需要非易失性程序存储的电子系统中。典型应用场景包括工业控制系统中的PLC固件存储、数控机床的启动引导程序保存、通信设备中的协议栈固化、测量仪器内的校准数据表记录以及老式消费电子产品（如音响、电视、游戏机主板）中的BIOS存储。由于其具备紫外线可擦除功能，该芯片也常用于教学实验平台，供学生学习EPROM编程原理、微机接口技术和嵌入式系统开发流程。此外，在军事和航空航天领域的部分老旧设备中，因其高可靠性与长期数据保持能力，仍保留使用此类EPROM进行关键程序备份。另一个重要用途是在现场服务和维修过程中作为原厂芯片的替代品，用于修复因程序丢失或损坏导致无法工作的设备。由于该器件支持多次擦写（通常可达数百次），可在调试阶段反复修改程序内容，适合研发初期的原型验证。同时，其TTL兼容性和标准地址/数据总线结构使得它可以轻松集成到基于8051、68HC11、Z80等经典架构的单板计算机或嵌入式控制器中。随着Flash技术的发展，许多新设计已转向串行或并行NOR Flash，但在一些不支持电擦除或需要极端环境稳定性的场合，MBM27C128-20CZ-G依然具有不可替代的优势。此外，该芯片还被用于某些加密设备、门禁系统和自动售货机中，用于存储固定的控制逻辑或授权信息。总之，尽管属于较早一代的存储技术，该器件凭借其成熟性、稳定性和广泛的兼容性，在特定细分市场中仍然保有持续需求。

SST39SF010A
　　M27C128B-20C1
　　AT27C128A-20PI