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MBM27C1001A-15Z 发布时间 时间:2025/9/22 9:17:13 查看 阅读:11

MBM27C1001A-15Z 是由富士通(现为 Spansion Inc.)生产的一款高性能 1M-bit(128K × 8 位)紫外线可擦除可编程只读存储器(UV-EPROM)。该芯片广泛应用于需要非易失性程序存储的工业控制、通信设备和嵌入式系统中。MBM27C1001A-15Z 采用标准的 40 引脚 DIP(双列直插式封装)或 PLCC 封装,具备透明窗口,允许用户通过紫外线照射对芯片内容进行擦除,并使用编程器重新写入数据。这款 EPROM 工作电压为 +5V,支持快速读取访问时间,典型值为 150ns,适用于对程序加载速度有一定要求的应用场景。由于其高可靠性、长期数据保持能力(通常可达 10 年以上)以及成熟的制造工艺,MBM27C1001A-15Z 在上世纪90年代至2000年代初被广泛采用。尽管目前已被更先进的闪存技术逐步取代,但在一些老旧设备维护、工业备件替换以及教育实验场合中仍具有一定的使用价值。该器件符合工业标准的引脚排列,兼容通用 EPROM 编程器和电路设计,便于集成与更换。

参数

类型:UV-EPROM
  容量:1 Mbit (128K x 8)
  工作电压:+5V ± 10%
  访问时间:150ns
  封装形式:40-pin DIP 或 PLCC
  工作温度范围:0°C 至 +70°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  编程电压:+12.5V 至 +13.5V
  数据保持时间:≥10年(典型)
  输入/输出逻辑电平:TTL 兼容
  最大功耗:典型 300mW
  封装类型:带窗口陶瓷或塑料封装
  编程脉冲宽度:100μs(典型)
  读取模式电流:70mA(最大)
  待机电流:100μA(典型)

特性

MBM27C1001A-15Z 具备多项关键特性,使其在当时的嵌入式系统和工业控制领域中成为可靠的程序存储解决方案。首先,其 1M-bit 的存储容量在发布时期属于较高水平,能够满足复杂固件和引导程序的存储需求。该芯片采用 CMOS 技术制造,在保证高速读取性能的同时有效降低了功耗,尤其在待机模式下电流消耗极低,有助于提升整个系统的能效表现。其 150ns 的访问时间确保了处理器能够快速获取指令,减少等待周期,从而提高系统整体响应速度。
  另一个重要特性是其紫外线可擦除功能。芯片顶部设有石英窗口,允许用户在需要更新程序时,将芯片暴露于强紫外线光源下约 15 到 20 分钟即可完成全部内容擦除,随后可通过通用编程器重新烧录数据。这种可重复编程的能力大大增强了开发和调试过程中的灵活性,特别适用于研发阶段频繁修改代码的场景。此外,该器件支持标准的 +5V 单电源供电,简化了电源设计,无需额外的高压生成电路(仅在编程时需外部提供编程电压 Vpp)。
  MBM27C1001A-15Z 还具备出色的抗干扰能力和数据保持稳定性。在正常工作环境下,写入的数据可保存超过 10 年而无需刷新。其 TTL 输出电平兼容性强,可直接与多种微控制器和逻辑电路接口连接,无需电平转换。封装形式包括陶瓷和塑料两种选项,其中陶瓷封装通常具有更好的耐热性和密封性,适合严苛工业环境。该器件还具备写保护机制,一旦编程完成并确认无误,用户可通过贴上不透光胶带覆盖窗口以防止意外曝光导致数据丢失,体现了简单而有效的物理保护设计理念。

应用

MBM27C1001A-15Z 被广泛应用于多种需要固化程序代码的电子系统中。在工业自动化领域,它常用于 PLC(可编程逻辑控制器)、数控机床、人机界面(HMI)等设备中作为固件存储介质。在通信设备中,该芯片可用于存储交换机、路由器或调制解调器的启动引导程序(Bootloader)。此外,在消费类电子产品如老式游戏机、音频设备和打印机中,也常见其身影,用于存放主控程序或字符字库。教育和科研机构也常使用此类 EPROM 芯片进行计算机组成原理、微控制器实验和数字系统设计教学,帮助学生理解非易失性存储器的工作机制。由于其可重复擦写特性,它在产品原型开发和小批量试产阶段尤为受欢迎,工程师可以反复修改和验证程序代码。即使在当前,许多老旧设备的维修和备件替换仍然依赖 MBM27C1001A-15Z 或其兼容型号,因此在售后支持和工业备件市场中仍有持续需求。随着现代电子系统向更高集成度和更低功耗发展,该芯片已逐渐被并行或串行 Flash 存储器所取代,但在特定历史设备维护场景中仍不可替代。

替代型号

SST39SF010A-15-4I-PHE
  AMD AM27C1001-15Z
  Intel F27C1001-15
  Atmel AT27C1001-15

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