容量：64Kbit (8K x 8)
　　电源电压：3.3V或5V可选
　　访问时间：20ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据保持电压：最低1.5V
　　功耗：典型值为100mA（待机模式下小于10mA）
　　引脚数：28

MBM2764-20Z-G是一款基于CMOS技术的高速SRAM芯片，具备低功耗、高速访问和高可靠性的特点。其20ns的访问时间使其适用于对速度有较高要求的应用场景。芯片支持3.3V和5V两种电源电压，具有良好的兼容性，适用于多种系统设计。此外，该芯片具有宽广的工作温度范围，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
　　MBM2764-20Z-G采用TSOP封装，体积小巧，便于在空间受限的设备中使用。其低待机电流特性有助于延长电池供电设备的使用寿命。该芯片还支持异步操作，允许灵活的接口设计。由于其稳定性和成熟的技术，MBM2764-20Z-G被广泛用于数据缓存、网络设备、工业控制系统以及需要高速存储的嵌入式系统中。
　　另外，MBM2764-20Z-G具备良好的抗干扰能力和数据保持能力，在掉电情况下仍可通过保持电压维持数据完整性，适用于需要长时间数据存储的应用场景。

MBM2764-20Z-G SRAM芯片广泛应用于多个领域。在工业自动化中，它被用于PLC控制器和数据采集系统中的临时存储单元。在通信设备中，该芯片可作为缓存，用于高速数据交换和处理。在嵌入式系统中，如智能仪表、医疗设备和测试仪器中，MBM2764-20Z-G提供快速可靠的数据存储解决方案。
　　此外，该芯片也适用于计算机外围设备，如打印机、扫描仪和图像处理模块，用于临时存储图像或控制数据。在网络设备中，如路由器和交换机，MBM2764-20Z-G可用于缓存路由表或快速转发数据包。由于其低功耗和高速特性，该芯片也可用于电池供电的便携设备，如手持终端和无线传感器节点。

ISSI IS62C64AL-20TI、Microchip 23K640-I/SN、ON Semiconductor MK48T08-20Z、Renesas IDT7164SA20Z、Alliance Memory AS6C6264-20SIN