MBM2764-20是一款由富士通(Fujitsu)生产的CMOS EPROM(可擦除可编程只读存储器)芯片,属于2764系列的8K × 8位并行EEPROM器件。该器件具有8192个存储单元,每个单元为8位宽,总存储容量为64 Kbit(即8 KB),广泛用于需要非易失性程序或数据存储的应用场景。MBM2764-20采用标准的28引脚DIP、SOIC或PLCC封装形式,兼容工业界通用的2764引脚排列,便于系统升级和替换。该芯片使用+5V单电源供电,具备低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,适合电池供电或对功耗敏感的嵌入式系统应用。其型号后缀“-20”表示该芯片的访问时间最大为200ns,适用于中高速微处理器系统。MBM2764-20支持标准的编程电压(通常为+12.5V或+21V,依具体版本而定)进行编程操作,并可通过紫外线照射擦除内容(对于窗口封装版本),因此属于传统意义上的UV-EPROM类型。该器件在出厂时处于未编程状态,用户可根据需求写入程序代码或固定数据。由于其非易失性、高可靠性及成熟的制造工艺,MBM2764-20曾广泛应用于工业控制设备、通信模块、消费类电子产品以及老旧计算机系统的固件存储中。尽管随着闪存技术的发展,此类并行EPROM已逐渐被串行Flash和EEPROM取代,但在一些维护现有设备或教育实验场合仍具实用价值。
类型:CMOS EPROM
密度:64 Kbit
组织结构:8K × 8
工作电压:+5V ±10%
访问时间:200ns
封装形式:28-pin DIP, SOIC, PLCC
编程电压:Vpp = +12.5V 或 +21V(依版本)
工作温度范围:0°C 至 +70°C(商业级)
待机电流:≤ 100μA
工作电流:≤ 35mA
输入逻辑电平:TTL 兼容
MBM2764-20具备多项关键特性,使其在非易失性存储领域表现出色。首先,其采用CMOS工艺制造,显著降低了功耗,尤其在待机模式下电流消耗低于100μA,这对于需要长时间保持数据但不频繁读取的系统非常有利。其次,该芯片提供200ns的快速访问时间,能够满足大多数8位和16位微处理器系统的时序要求,确保系统运行流畅。其8KB的存储空间足以容纳小型固件程序或配置数据,在早期嵌入式系统中扮演重要角色。
该器件支持标准的编程与擦除流程。在编程过程中,需施加较高的编程电压(Vpp),通常为+12.5V或+21V,具体取决于器件版本,同时配合特定的脉冲时序将数据写入存储单元。擦除则通过将芯片置于强紫外光(波长约253.7nm)下照射15至20分钟完成,此过程会清除整个芯片内容,使其恢复到全“1”状态,之后可重新编程。这种机制保证了数据的安全性和可重复使用性,但也要求使用窗口封装(Ceramic DIP with quartz window),成本较高且物理体积较大。
MBM2764-20具有高可靠性设计,数据保存时间典型值可达10年以上,抗干扰能力强,能够在工业环境下稳定运行。其输出驱动能力符合TTL电平标准,可直接连接多数微控制器和逻辑电路,无需额外电平转换。此外,该芯片内置数据保护机制,在正常读取操作期间不会意外修改存储内容,增强了系统稳定性。虽然不具备字节级擦除功能(必须整片擦除),但其结构简单、接口直观,易于硬件设计和调试,特别适合教学实验、原型开发和老式设备维修等场景。
MBM2764-20广泛应用于多种需要非易失性程序存储的电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC控制器、人机界面(HMI)设备和传感器模块中存储启动代码或校准参数。在通信设备中,如调制解调器、路由器和交换机的早期型号,该芯片用于存放引导程序(Bootloader)或固件映像。消费类电子产品方面,曾在打印机、传真机、音频设备和家用游戏机中作为BIOS或配置存储使用。此外,在教育和科研机构中,MBM2764-20因其接口简单、时序清晰,被广泛用于微机原理、单片机实验和数字系统设计课程的教学实践。它也常见于老旧计算机系统(如IBM PC兼容机或工控机)的扩展卡上,用于存储设备驱动或初始化代码。尽管现代设计更多采用串行Flash或SPI EEPROM以节省空间和引脚资源,但在设备维护、备件替换和系统升级过程中,MBM2764-20仍是不可或缺的关键元器件。其稳定的性能和长期供货历史使其成为许多 legacy 系统中的标准配置。
27C64
AT27C64
MCM27C64
KM27C64