MBM200HS6G 时间：2025/9/7 17:25:08 阅读：17

MBM200HS6G是一款由ROHM（罗姆）公司推出的高耐压、大电流的功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供出色的导通电阻和开关性能，适用于需要高效率和高可靠性的各种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：200A
　　最大漏源电压：600V
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（最大值）
　　栅极电压范围：±30V
　　耗散功率：350W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

MBM200HS6G具有优异的导通电阻与电流能力，使其在高负载应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）减少了功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的高耐压特性（600V）使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源应用。
　　这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提升了在高频开关环境下的稳定性。同时，MBM200HS6G具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于苛刻的工作环境。
　　其封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，适用于多种功率电子设备，如开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等。ROHM还为该器件提供了完善的保护功能，包括过热保护和过电流保护，进一步增强了其可靠性和耐用性。

应用

MBM200HS6G广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合需要高效率和高可靠性的电源管理应用。
　　在开关电源中，MBM200HS6G可用于主开关电路，实现高效的能量转换。在电机驱动器中，它能够提供稳定的电流输出，确保电机运行的平稳性和效率。此外，在电动汽车充电系统中，该MOSFET可以用于控制充电电流和电压，满足高功率充电需求。
　　由于其良好的热稳定性和高耐压特性，MBM200HS6G也适用于高频开关应用，如功率因数校正（PFC）电路和同步整流电路。这些应用要求器件具有优异的开关性能和导通能力，以降低功率损耗并提高系统效率。