时间：2025/11/6 2:08:57
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RF03N0R5C250CT是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的功率MOSFET，属于其高性能、低导通电阻的MOSFET产品线。该器件专为高效率电源转换应用设计，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及电池管理系统等。作为N沟道增强型MOSFET，它在栅极施加正电压时导通，允许电流从漏极流向源极。RF03N0R5C250CT采用先进的沟槽式技术制造，优化了载流子迁移路径，从而实现了极低的导通电阻和优异的开关性能。该器件封装在紧凑的表面贴装封装中（具体为TO-247或类似的高功率密度封装），具备良好的热传导能力，适合在高功率密度和高温环境下稳定运行。此外，该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力和抗浪涌电流能力，增强了系统在瞬态条件下的可靠性。
型号：RF03N0R5C250CT
制造商：ROHM Semiconductor
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大连续漏极电流（Id）：180A
最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：720A
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.5mΩ @ Vgs=10V, Id=90A
导通电阻（Rds(on)）：0.65mΩ @ Vgs=4.5V, Id=60A
阈值电压（Vth）：典型值2.0V，范围1.5~2.5V
输入电容（Ciss）：约10000pF
输出电容（Coss）：约2800pF
反向传输电容（Crss）：约450pF
栅极电荷（Qg）：典型值120nC @ Vds=15V, Id=180A
体二极管反向恢复时间（Trr）：典型值30ns
工作结温范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
RF03N0R5C250CT的核心优势在于其超低导通电阻，典型值仅为0.5mΩ，在大电流应用场景下显著降低了导通损耗，提高了整体系统能效。这种极低的Rds(on)得益于ROHM先进的沟槽栅结构设计和高精度的制造工艺，使得单位面积内的电流承载能力大幅提升。同时，该器件在低栅压驱动条件下仍能保持良好的导通性能，例如在Vgs=4.5V时Rds(on)仅为0.65mΩ，这使其兼容现代低电压逻辑驱动IC，如控制器或门驱动器，无需额外升压电路即可实现高效控制。
该MOSFET具有出色的热稳定性与可靠性。其高结温额定值（+175°C）确保了在高温环境或高负载条件下仍能安全运行。内置的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（Trr≈30ns），有效减少了开关过程中的反向恢复电荷（Qrr），从而降低开关损耗并抑制电压尖峰，提升系统EMI性能。此外，器件经过优化的内部布局减少了寄生电感，有助于改善高频开关行为，减少振铃现象。
RF03N0R5C250CT还具备优异的雪崩耐量（Avalanche Ruggedness），能够在意外过压或感性负载关断时承受一定的雪崩能量而不损坏，提升了系统的鲁棒性。其高dv/dt和di/dt耐受能力也使其适用于高速开关场合。TO-247封装提供了优良的散热性能，便于安装散热器以进一步提升功率处理能力，适用于工业级和汽车级应用需求。
RF03N0R5C250CT广泛应用于需要高电流、低损耗功率切换的电子系统中。典型应用包括大功率DC-DC降压或升压转换器，尤其是在服务器电源、通信基站电源和工业电源模块中作为主开关或同步整流器使用。由于其极低的导通电阻和高电流能力，该器件也非常适合用于电动工具、无人机、电动汽车中的电机驱动电路，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，能够高效地控制大功率电机的启停与转向。
在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于电池组的充放电控制开关，特别是在高压锂电池组中实现高效率的能量传输与保护功能。此外，它还可用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、焊接设备和高功率LED驱动电源等对效率和可靠性要求极高的场合。得益于其良好的热性能和封装设计，RF03N0R5C250CT也能胜任空间受限但需高功率密度的设计需求，是追求小型化与高性能平衡的理想选择。
RJK03B05DP-00#SC25
IPB036N04LCG
IRLR024NPbF
SiS624ADN
