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MBM100474A-15 发布时间 时间:2025/8/8 18:33:23 查看 阅读:33

MBM100474A-15是一款由富士通(Fujitsu)制造的双极型静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于高速存储器系列,广泛应用于需要高性能和低延迟的系统中。这款SRAM芯片采用高速双极工艺制造,提供15ns的访问时间,适合用于高速缓存、实时控制系统以及其他对速度要求较高的场合。MBM100474A-15封装为28引脚DIP(双列直插式封装),具有良好的稳定性和兼容性。

参数

存储器类型:SRAM(静态随机存取存储器)
  容量:4K x 4位(总共16Kbit)
  访问时间:15ns
  封装类型:28引脚DIP(Dual In-line Package)
  电源电压:5V
  工作温度范围:工业级(通常为-40°C至+85°C)
  输入/输出电平:TTL兼容
  数据宽度:4位
  地址线数量:12条(支持4096个地址)
  功耗:典型值约250mA

特性

MBM100474A-15是一款基于双极型晶体管技术的高速SRAM芯片,具有快速的访问时间,仅为15纳秒,这使得它适用于对响应时间要求苛刻的应用场景。该芯片采用TTL兼容接口,能够直接与多种微处理器和控制器连接,无需额外的电平转换电路,从而简化了系统设计。
  此外,MBM100474A-15的工作电压为标准5V,确保了与传统数字电路的良好兼容性。其工业级工作温度范围(通常为-40°C至+85°C)使其能够在较为恶劣的环境中稳定运行,提高了系统的可靠性和适应性。
  该芯片采用28引脚DIP封装,便于插拔和维护,适用于原型设计和小批量生产。MBM100474A-15的结构设计使其在不需要刷新操作的情况下保持数据稳定,减少了系统复杂性和功耗,同时提高了数据读写的稳定性与效率。
  由于其高速特性和低延迟,该SRAM芯片常用于工业控制、通信设备、测试仪器以及嵌入式系统中的高速缓存或临时数据存储。

应用

MBM100474A-15适用于多种需要高速数据存取的电子系统。例如,在工业自动化控制中,它可以作为高速缓存来提升处理效率;在通信设备中,可用于临时存储数据包或缓冲信号;在测试仪器中,用于快速存储和读取测量数据。此外,它也适用于老式计算机系统、嵌入式系统、数据采集系统以及各种需要高速、低延迟存储的场合。由于其TTL兼容性和5V供电方式,该芯片也常用于实验开发和原型设计。

替代型号

MBM100474A-15的替代型号包括MBM100474A-20(访问时间20ns)和MBM100474A-12(访问时间12ns),具体可根据系统对速度的要求进行替换。

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