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MBL8742H 发布时间 时间:2025/9/23 11:40:39 查看 阅读:10

MBL8742H是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的高效率、单片同步降压型DC-DC转换器,广泛应用于需要高效电源管理的便携式设备和嵌入式系统中。该芯片集成了高压侧和低压侧MOSFET,能够在宽输入电压范围内提供稳定的输出电压,并具备多种保护机制以提升系统可靠性。MBL8742H采用电流模式控制架构,具有快速瞬态响应能力,适用于为微处理器、FPGA、ASIC以及其他低电压数字负载供电。其封装形式紧凑,通常采用小型DFN或QFN封装,有助于节省PCB空间,适合高密度布局设计。此外,该器件支持可调输出电压和固定输出电压配置,通过外部电阻分压器可灵活设定输出电压值,适应不同应用需求。工作频率可通过外部电阻编程设置,典型开关频率范围在300kHz至2.5MHz之间,允许用户在效率与外部元件尺寸之间进行优化权衡。集成的自举二极管减少了外部元器件数量,进一步简化了设计复杂度。

参数

型号:MBL8742H
  制造商:ON Semiconductor (ONSEMI)
  拓扑结构:同步降压(Buck)
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.8V 至 5.5V(可调)
  最大输出电流:4A
  控制方式:峰值电流模式控制
  开关频率:300kHz - 2.5MHz(可外部编程)
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(Tj)
  静态电流:约20μA(关断模式)
  关断电流:<1μA
  封装类型:DFN-10(3x3) 或类似小型封装
  集成MOSFET:是(上下管均集成)
  保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)
  软启动功能:内部或外部电容可调
  PWM调光兼容性:支持(用于LED驱动应用)

特性

MBL8742H具备多项先进特性,使其成为高性能电源管理解决方案中的理想选择。
  首先,该器件采用了先进的BCD工艺制造,集成了高边和低边功率MOSFET,导通电阻低,显著降低了导通损耗,提升了整体转换效率。在满载条件下,典型效率可达95%以上,尤其在中等负载下仍能保持高效率运行,适用于对能效要求严苛的应用场景。
  其次,其电流模式控制架构不仅提供了出色的线路和负载瞬态响应性能,还便于环路补偿设计,提高了系统的稳定性。通过外部电阻设置开关频率,用户可以在噪声敏感应用中避开关键频段,或在空间受限的设计中使用更小的电感和电容。
  再者,MBL8742H内置完善的保护机制,包括逐周期电流限制、打嗝模式下的过流保护、热关断以及输入欠压锁定功能。这些保护措施有效防止了在异常工作条件下的器件损坏,增强了系统的鲁棒性。
  此外,该芯片支持强制PWM模式或自动PWM/PFM切换模式,用户可根据应用需求选择工作模式:在PFM模式下轻载效率更高,适合电池供电设备;而在PWM模式下输出纹波更小,适合噪声敏感电路。
  最后,其小型化封装设计结合极少的外围元件需求,使得整体解决方案尺寸非常紧凑,特别适用于空间受限的便携式电子产品,如平板电脑、网络摄像头、机顶盒、工业控制器等。

应用

MBL8742H广泛应用于多种需要高效、稳定直流电源的电子系统中。
  在消费类电子产品领域,它常被用于为智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和智能显示器提供核心电压轨,尤其是在多路电源系统中作为中间降压级使用。
  在工业控制与自动化设备中,该芯片可用于PLC模块、传感器接口板、远程I/O单元等,为其内部微控制器、ADC/DAC、通信接口(如RS-485、CAN)提供干净可靠的电源。
  在网络通信设备中,MBL8742H适用于路由器、交换机、IP摄像头等产品中的FPGA或ASIC供电方案,能够满足高速数字电路对动态响应和低噪声的要求。
  此外,在汽车电子领域,尽管其并非AEC-Q100认证器件,但仍可用于车载信息娱乐系统、后排显示屏或辅助电源模块中,特别是在非安全关键路径上的低压电源转换。
  由于其宽输入电压范围和高输出电流能力,也适合用于分布式电源架构中的POL(Point-of-Load)转换器,替代传统的线性稳压器以提高效率并减少散热问题。
  同时,凭借其良好的EMI性能和可编程频率功能,可在电磁环境复杂的系统中通过频率抖动或扩频技术降低传导干扰,提升系统EMC表现。

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