时间:2025/12/24 17:52:50
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55A07A 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高电流、高效率的电源管理应用,如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统。该MOSFET采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的热性能和电气性能,适用于中高功率应用。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):55A
漏极-源极击穿电压(VDS):75V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约0.018Ω(典型值,VGS=10V)
功耗(PD):160W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装:TO-252(DPAK)
55A07A MOSFET具备多项优良特性,适用于高效能电源管理系统。其主要特性包括:
1. **低导通电阻**:55A07A的RDS(on)典型值为0.018Ω,在VGS=10V时,可以显著降低导通损耗,提高电源转换效率,适用于高电流应用场景。
2. **高电流承载能力**:该器件可承受高达55A的连续漏极电流,适合用于高功率负载的控制和开关应用。
3. **高耐压性能**:漏极-源极击穿电压为75V,适用于中高压电源系统,如汽车电子、工业电源和电机驱动系统。
4. **优异的热稳定性**:采用TO-252封装,具有良好的散热性能,确保在高功率操作下器件的稳定性与可靠性。
5. **宽工作温度范围**:工作温度范围从-55°C至175°C,使其适用于恶劣环境条件下的应用,如汽车电子和工业自动化系统。
6. **栅极驱动兼容性好**:栅极驱动电压为±20V,适用于常见的驱动电路设计,兼容标准的MOSFET驱动IC。
55A07A广泛应用于多个领域,主要包括:
1. **电源管理系统**:如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,用于提高系统的电源效率。
2. **电机控制**:用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中,提供高效的功率控制。
3. **汽车电子**:如车载充电系统、电池管理系统和车载娱乐系统中的功率开关。
4. **工业自动化**:用于PLC(可编程逻辑控制器)和工业电源模块中,作为高效率的功率开关器件。
5. **消费类电子产品**:如高性能电源适配器、LED照明驱动和电池充电设备。
6. **太阳能逆变器**:在光伏逆变器中作为功率开关,提升能量转换效率。
IRF1405, STP55NF06, FDP55N06, IPW55N06CD, NTD5806N