MBL6803W2 时间：2025/9/22 8:28:05 阅读：18

MBL6803W2是一款由ONSEMI（安森美）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用紧凑的SOD-123W封装。该器件专为高频开关应用设计，具备低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适用于需要高效能整流和保护功能的电源电路。MBL6803W2广泛用于消费类电子产品、便携式设备、计算机外围设备以及工业控制系统的电源管理部分。其结构基于单个芯片上的肖特基势垒技术，能够在保持低功耗的同时提供较高的电流处理能力，适合在空间受限但对热性能有一定要求的应用场景中使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。MBL6803W2的工作温度范围宽广，可在-55°C至+150°C结温范围内稳定运行，使其适用于各种严苛的工作环境。
　　该二极管常被用作续流二极管、反向极性保护、AC-DC整流桥中的组成部分或DC-DC转换器中的输出整流元件。由于其优异的开关特性，能够有效降低系统整体功耗并提升效率，在电池供电设备中尤为重要。SOD-123W封装具有较小的占位面积和良好的散热性能，便于实现高密度PCB布局。制造商提供了完整的可靠性测试数据和长期供货承诺，确保产品在批量生产中的稳定性与一致性。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　最大均方根电压（VRMS）：42V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）@ 1A：850mV
　　最大反向漏电流（IR）@ 60V, 25°C：500μA
　　最大反向漏电流（IR）@ 60V, 125°C：1.5mA
　　反向恢复时间（trr）：典型值<5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123W
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　高度：约1.2mm
　　长度：约3.5mm
　　宽度：约1.7mm

特性

MBL6803W2的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体接触形成整流结，相比传统的PN结二极管显著降低了正向导通压降（VF），从而减少了导通状态下的功率损耗。在1A电流下，其最大正向压降仅为850mV，意味着每只二极管在满载时仅消耗约0.85瓦的功率，这对于提高电源转换效率至关重要，尤其是在低电压大电流输出的DC-DC变换器中表现尤为突出。同时，该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）典型值小于5纳秒，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关环境中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，有助于减少电磁干扰（EMI）并提升系统稳定性。
　　该器件的SOD-123W封装是一种薄型表面贴装封装，具有优良的热传导性能和机械强度，能够在有限的空间内实现高效的热量散发。其小型化设计非常适合自动化贴片生产线，支持回流焊工艺，保证了大批量制造过程中的焊接可靠性和良品率。封装材料符合IEC 61249-2-21标准关于卤素含量的规定，属于绿色产品，适用于出口型电子设备。
　　MBL6803W2还表现出出色的温度稳定性。随着结温升高，虽然反向漏电流会有所增加，但在125°C高温条件下仍能将漏电流控制在1.5mA以内，这表明其在高温环境下仍可维持基本功能，避免因漏电过大导致系统异常。此外，它能承受高达30A的非重复浪涌电流冲击，增强了对瞬态过流事件（如上电冲击或负载突变）的耐受能力，提升了整个电路的鲁棒性。这些综合特性使得MBL6803W2成为众多中小功率电源设计中的理想选择。

应用

MBL6803W2广泛应用于多种电源相关电路中。在消费类电子产品中，常见于手机充电器、平板电脑电源模块、USB供电设备及LED照明驱动电路中，作为次级侧整流元件以提高能效并减小体积。在计算机和通信设备中，该器件可用于主板上的DC-DC电源转换电路、硬盘驱动器电源管理单元以及网络交换机的PoE（以太网供电）接口中，执行续流或防反接功能。
　　在工业控制系统中，MBL6803W2可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电模块、电机驱动电路中的钳位保护等场合，利用其快速响应特性防止感性负载关断时产生的反电动势损坏主控芯片。此外，在电池管理系统（BMS）中，它可以作为充放电路径上的单向导通控制元件，防止电流倒灌引发安全隐患。
　　该器件也适用于各类适配器、AC-DC和DC-DC电源模块、反激式转换器的辅助绕组整流、太阳能微型逆变器以及便携医疗设备中的电源管理单元。由于其高效率和小尺寸特点，特别适合追求轻薄化、长续航和高可靠性的现代电子系统设计需求。