MBL400GS6PW 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于高功率、高效能的电子元件,适用于需要高电流、高电压控制的应用场景。该器件采用先进的沟槽式栅极技术,具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗,提高了系统效率。MBL400GS6PW 通常用于汽车电子、工业控制、电源管理、电机驱动等领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大漏极电流(Id):400A(在25°C时)
导通电阻(Rds(on)):约0.9mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):约170nC(典型值)
最大功耗(Ptot):约320W
封装形式:PowerFLAT 5x6
工作温度范围:-55°C 至 175°C
MBL400GS6PW 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得该MOSFET在高电流应用中具有更低的导通损耗,从而提高整体系统效率。此外,该器件采用了先进的沟槽式栅极结构,提供了更优的开关性能,减少了开关损耗。其高电流承载能力和良好的热性能使其在高功率密度设计中表现优异。
该MOSFET的封装形式为PowerFLAT 5x6,具有良好的散热性能和较小的尺寸,适用于空间受限的应用场景。MBL400GS6PW 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护功能,增强了器件在极端条件下的稳定性和可靠性。
此外,MBL400GS6PW 的栅极驱动电压范围较宽,通常支持从4.5V至20V的输入,这使得它可以与多种栅极驱动IC兼容,提高了其在不同设计中的适用性。
MBL400GS6PW 常用于汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、车载充电器、电池管理系统(BMS)以及电机控制器。在工业领域,该器件适用于电源转换器、不间断电源(UPS)、伺服电机控制以及高功率DC-DC转换器。由于其高效率和低导通电阻的特性,它也被广泛用于新能源系统,如太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块中。
STL400N6F7AG;IRFB400N;SiS442DN;FDMS7680