MBF28B1F06A 时间：2025/9/7 5:46:22 阅读：5

MBF28B1F06A是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率转换和开关应用。该器件具有高效率、快速开关和低导通电阻的特点，适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等电路设计。MBF28B1F06A采用先进的制造工艺，确保在高频率和高电流环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：28A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大60mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK等

特性

MBF28B1F06A具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和耐高压的特性使其适用于多种高功率应用。该MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，以减少开关损耗和提高响应速度。
　　此外，MBF28B1F06A采用先进的硅技术和封装设计，能够在高温环境下稳定运行，并具有良好的热稳定性。其耐用的结构和高可靠性使其成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平控制，简化了驱动电路设计。同时，MBF28B1F06A具备较高的抗静电能力，确保在实际应用中的稳定性和使用寿命。