CL31A684KANC 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件适用于高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电源管理电路。其低导通电阻和快速开关速度使其成为效率敏感型应用的理想选择。
CL31A684KANC 使用先进的制造工艺,能够在高电流条件下保持较低的功耗,同时提供出色的可靠性和稳定性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:24A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:29nC
总电容:1350pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-220
CL31A684KANC 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频应用环境。
3. 高电流处理能力,能够满足大功率负载需求。
4. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
5. 小巧的封装设计,节省 PCB 空间。
6. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,提升系统可靠性。
CL31A684KANC 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动器和逆变器模块。
3. 工业自动化设备中的功率控制电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
5. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
6. 高效 LED 驱动器和背光控制方案。
IRFZ44N, FDP5500, STP24NF06L