晶体管类型：双 NPN 晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　增益带宽（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小）至 800（最大），根据档位不同
　　封装类型：SOT-23

MBD2838 器件采用了双晶体管结构，非常适合需要两个独立 NPN 晶体管的电路设计。其高电流增益（hFE）使得它在低功率放大和开关电路中表现出色。该器件的高频响应能力（250 MHz 的 fT）使其在射频和高速数字电路中也能发挥作用。
　　MBD2838 使用 SOT-23 封装，体积小、重量轻，非常适合在高密度 PCB 设计中使用。此外，其较低的功耗和良好的热稳定性使其在电池供电设备中表现出色。SOT-23 封装还具有良好的焊接性能，适用于表面贴装工艺，提高了制造效率和可靠性。
　　该器件的工作温度范围通常为 -55°C 至 150°C，适合在各种环境条件下运行。MBD2838 的双晶体管结构可以共享相同的封装，减少了 PCB 空间并简化了电路设计。此外，该器件的电气特性非常稳定，具有较高的抗干扰能力和较长的使用寿命。

MBD2838 主要用于通用 NPN 晶体管应用，例如低频放大器、开关电路、信号调理、逻辑电平转换、驱动 LED 或继电器等负载、音频放大电路和射频前端电路。它也常用于嵌入式系统、传感器接口电路、工业自动化控制设备以及消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和便携式音频设备等。
　　在工业领域，MBD2838 可用于构建小型化的控制模块，例如继电器驱动器、电机控制电路或传感器信号放大器。在通信系统中，该器件可用于构建低噪声放大器（LNA）或缓冲器，以提高信号完整性。在消费电子产品中，由于其小尺寸和低功耗特点，MBD2838 也常用于电源管理、电池充电控制以及音频输出驱动电路。

BC847, 2N3904, MMBD2838, PN2222