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MB8AG1061BGF-ESE1 发布时间 时间:2025/9/22 10:10:56 查看 阅读:13

MB8AG1061BGF-ESE1是一款由富士通(Fujitsu)推出的高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,采用先进的CMOS工艺制造。该器件属于异步SRAM系列,具有1M x 8位的存储结构,总容量为8兆位(即1兆字节),适用于需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统与通信设备中。该芯片封装形式为48引脚的TSOP(Thin Small Outline Package),具备良好的散热性能和紧凑的尺寸,适合在空间受限的应用环境中使用。MB8AG1061BGF-ESE1的工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容低电压LVTTL接口标准,能够无缝集成到多种主流微控制器和处理器系统中。其主要优势在于高速的数据读取能力,典型访问时间可低至55纳秒,确保了在实时处理场景下的高效响应。此外,该器件支持商业级温度范围(0°C 至 +70°C),满足大多数工业和消费类电子产品的运行环境要求。由于其异步操作特性,无需外部时钟信号即可完成读写操作,简化了系统设计复杂度。MB8AG1061BGF-ESE1广泛应用于网络设备、打印机、工业控制模块、医疗仪器以及汽车电子等领域,作为缓存或临时数据存储单元发挥关键作用。富士通在SRAM领域拥有长期的技术积累,该型号产品延续了其高可靠性与长生命周期供货的特点,适合对稳定性和持续供货有较高要求的项目应用。
  值得注意的是,随着半导体市场的整合,富士通的部分SRAM产品线已由Cypress Semiconductor(现属英飞凌Infineon Technologies)接管和支持。因此,在进行新产品设计或替代选型时,建议参考Infineon官方发布的最新技术文档和供货信息,以确保供应链的可持续性。同时,该器件不支持自动刷新或动态刷新机制,用户需通过外部控制器管理所有地址与数据的读写时序。为了防止数据丢失,系统设计中应避免非法地址访问或超出规格的操作条件。

参数

制造商:Fujitsu
  类型:异步SRAM
  存储容量:8 Mbit
  组织结构:1 M x 8 位
  工作电压:2.7 V ~ 3.6 V
  访问时间:55 ns / 70 ns 可选
  封装类型:48-TSOP
  引脚数量:48
  工作温度范围:0°C ~ +70°C
  接口类型:LVTTL
  读写模式:异步
  供电电压典型值:3.3 V
  最大写入周期时间:55 ns / 70 ns
  待机电流:≤ 15 μA(CMOS输入)
  工作电流:≤ 90 mA(最大)

特性

MB8AG1061BGF-ESE1的核心特性之一是其高速异步读写能力,能够在无需外部时钟同步的情况下实现快速数据存取。该芯片的访问时间提供55ns和70ns两种版本选择,允许设计者根据系统性能需求灵活选型。在读取操作中,地址建立后可在极短时间内输出有效数据,显著提升系统的响应速度。此外,该器件采用全静态CMOS设计,所有输入端均兼容LVTTL电平标准,可直接与多数3.3V微处理器、DSP和ASIC连接而无需额外的电平转换电路,降低了整体系统成本和复杂度。其内部电路优化了噪声抑制和抗干扰能力,在高频切换环境下仍能保持稳定的数据完整性。
  该SRAM具备低功耗特性,支持两种省电模式:待机模式和掉电模式。当片选信号CE1或CE2处于非激活状态时,器件自动进入低功耗待机状态,此时工作电流大幅降低至微安级别,有助于延长便携式设备的电池寿命。而在深度节能需求下,可通过控制使能信号将设备完全置于掉电模式,进一步减少能耗。所有引脚均具备静电放电(ESD)保护功能,典型防护能力可达±2000V HBM(人体模型),增强了器件在生产、运输及现场使用中的可靠性。封装方面,48-TSOP小外形薄型封装不仅节省PCB空间,还提供了良好的热传导性能,有利于长期稳定运行。此外,该芯片经过严格的老化测试和质量控制流程,符合工业级可靠性标准,支持宽范围的电源波动容忍能力,确保在电压瞬变或负载变化情况下依然可靠工作。整个设计遵循绿色环保理念,符合RoHS环保指令要求,不含铅和其他有害物质,适用于全球市场的产品认证。

应用

MB8AG1061BGF-ESE1因其高性能与高稳定性,被广泛应用于多个需要快速、可靠数据存储的领域。在网络通信设备中,如路由器、交换机和基站模块,该SRAM常用于帧缓冲区或报文队列存储,协助主处理器高效处理大量并发数据流。在工业自动化控制系统中,它作为PLC(可编程逻辑控制器)或HMI(人机界面)设备的临时数据暂存区,支持高速采集与实时显示功能。打印设备,特别是激光打印机和多功能一体机,利用该芯片存储打印图像数据或字体缓存,以保证连续高速打印不卡顿。在医疗电子设备中,例如超声成像仪或病人监护系统,MB8AG1061BGF-ESE1可用于图像预处理阶段的数据暂存,确保关键生命体征信息不会因延迟而丢失。汽车电子领域中,车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)也常集成此类SRAM来支持图形渲染或传感器融合过程中的中间计算结果存储。此外,测试测量仪器、POS终端、视频监控设备等消费类与专业电子产品同样依赖该器件提供的快速响应能力。由于其异步接口设计简单,不需要复杂的时序控制逻辑,因此特别适合用于基于传统MCU架构的嵌入式系统升级项目。对于需要长期供货保障和工业级品质的客户而言,这款SRAM是一个成熟可靠的解决方案选择。

替代型号

CY7C1061G30-55ZSXI
  CY7C1061G30-70ZSXI
  IS61LV1061-55TLI

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