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FN03B153K100PLG 发布时间 时间:2025/7/10 20:14:38 查看 阅读:8

FN03B153K100PLG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 SuperFET II 技术,具有较低的导通电阻和较高的开关性能,适用于高效率电源转换应用。FN03B153K100PLG 的封装形式为 LFPAK88,是一种紧凑型表面贴装封装,能够提供良好的散热性能。
  这款功率 MOSFET 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等应用中,其优异的动态特性与静态性能使得它在消费电子、通信设备及工业领域都有广泛的应用场景。

参数

型号:FN03B153K100PLG
  VDS(漏源电压):150V
  RDS(on)(导通电阻,典型值@ VGS=10V):7.5mΩ
  ID(连续漏极电流):36A
  Qg(总栅极电荷):29nC
  EAS(雪崩能量):3.2mJ
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装:LFPAK88

特性

FN03B153K100PLG 具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 较小的栅极电荷 (Qg),有助于实现快速开关切换,减少开关损耗。
  3. 高额定漏源电压 (VDS),适合多种高压应用场景。
  4. 紧凑型 LFPAK88 封装设计,具备出色的热性能和电气性能。
  5. 支持高电流操作,最大可承受 36A 的连续漏极电流。
  6. 广泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),使其能够在极端环境下稳定运行。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

FN03B153K100PLG 可应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流电路。
  2. 降压或升压型 DC-DC 转换器。
  3. 电机驱动及控制电路。
  4. 各类负载开关及保护电路。
  5. 工业自动化设备中的电源管理模块。
  6. 通信系统中的高效功率转换解决方案。
  7. 消费电子产品中的充电器及适配器设计。

替代型号

NTMFS4C812NL, FDP5570N, BUK7Y1R2-100EN

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