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7283-5830 发布时间 时间:2025/12/23 22:00:48 查看 阅读:11

7283-5830是一种高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够有效提升系统的效率和稳定性。
  这种器件通常以N沟道增强型场效应晶体管的形式呈现,适用于需要高频开关和低功耗的场景。其封装形式多样,能够满足不同的安装需求和空间限制。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:50nC
  开关速度:纳秒级
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

7283-5830具备出色的电气性能,其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用场景。
  3. 快速开关特性,支持高频操作,减少电磁干扰。
  4. 热稳定性强,在高温环境下仍能保持可靠运行。
  5. 封装设计紧凑,便于集成到各种电路板中。
  6. 抗静电能力强,能够有效防止外部干扰对器件造成损害。

应用

该芯片广泛应用于多个领域,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)设计,用于高效能量转换。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. LED照明驱动电路,提供稳定的电流输出。
  6. 通信设备中的电源管理和信号调节。

替代型号

IRFZ44N, FQP30N06L, STP36NF06

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