MB87S4440是一款由富士通(Fujitsu)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于异步SRAM类别。该芯片具有高速访问时间和低功耗特性,适用于需要快速数据存储和访问的场景,如网络设备、工业控制系统、通信设备和嵌入式系统。MB87S4440采用CMOS工艺制造,提供高性能和高可靠性的数据存储解决方案。
容量:4Mbit(256K x 16)
组织方式:256K地址 x 16位数据
访问时间:5.4ns(最大)
工作电压:2.3V至3.6V
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:54引脚TSOP(Thin Small Outline Package)
接口类型:异步
功耗:典型工作电流约120mA(待机模式下电流极低)
MB87S4440具备高速访问能力,其访问时间低至5.4ns,能够满足高性能系统对数据存取速度的需求。芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高速性能的同时有效降低功耗,适用于对功耗敏感的应用环境。该SRAM支持异步接口,无需时钟信号即可进行读写操作,简化了系统设计。此外,MB87S4440具备宽电压工作范围(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源条件下的适用性。芯片还支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下仍能稳定运行。其封装形式为54引脚TSOP,体积小且便于PCB布局。
MB87S4440在设计上考虑了可靠性与兼容性,适用于多种应用场景。其异步接口兼容多种微处理器和控制器,使得系统集成更加灵活。此外,该芯片具备良好的热稳定性和电磁兼容性(EMC),在高频工作条件下仍能维持稳定性能。MB87S4440还支持快速切换读写模式,提升了数据操作效率。其低待机电流特性有助于延长电池供电设备的使用寿命。
MB87S4440广泛应用于需要高速、低功耗存储解决方案的嵌入式系统和工业控制设备中。例如,在网络交换机和路由器中作为高速缓存使用;在工业自动化系统中作为主存储器或临时数据存储单元;在通信设备中用于数据缓冲和快速访问;在测试仪器和测量设备中作为临时存储器;以及在消费类电子产品中用于图像处理或实时数据存储等场景。
IS61LV25616-10B4B、CY62148EVLL、AS7C3256-10TC、IDT71V416S