时间：2025/4/29 9:29:24
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IPL60R365P7 是一款基于先进的沟槽场效应晶体管（Trench Field Effect Transistor）技术的高压功率MOSFET。该器件采用 Infineon 的 OptiMOS? 技术，具有低导通电阻和出色的开关性能，适合用于高效率、高频开关的应用场景。
这款 MOSFET 专为工业和汽车应用设计，其封装形式为 PQFN4x4-8，具备良好的散热特性和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：600V
导通电阻：365mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
连续漏极电流：1.09A（在 Tc=25°C 时）
栅极电荷：3nC（典型值）
反向恢复时间：10ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PQFN4x4-8
IPL60R365P7 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，可承受高达 600V 的漏源电压，适用于高压系统。
2. 低导通电阻，有助于降低导通损耗并提升整体效率。
3. 快速开关性能，反向恢复时间短，减少了开关损耗。
4. 小型化封装设计，节省电路板空间。
5. 出色的热稳定性和可靠性，可在宽温范围内保持稳定的性能。
6. 符合 AEC-Q101 标准，确保在严苛环境下的可靠运行。
IPL60R365P7 广泛应用于各种需要高效能功率转换和控制的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器应用。
3. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的电源管理和控制电路。
5. LED 照明驱动器和其他高频开关应用。
IPL60R387P7, IPL60R333P7
