MB87S4110是一款由富士通(Fujitsu)开发的高性能、低功耗的16位静态随机存取存储器(SRAM)芯片,采用先进的CMOS技术制造。这款SRAM芯片具有高速存取能力和优异的可靠性,适用于需要高性能存储解决方案的工业控制、通信设备、网络设备及嵌入式系统等领域。MB87S4110的标准封装形式为TSOP(薄型小外形封装),便于在各种电子设备中进行集成。
容量:256K x 16位
电源电压:2.3V 至 3.6V
最大访问时间:55ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
封装引脚数:54
功耗:典型值为100mA(待机模式下电流小于10μA)
接口类型:并行接口
数据保持电压:最低1.5V(数据保持模式)
MB87S4110具有多项优异特性,能够满足高性能存储需求。首先,其高速访问时间(最大55ns)使得该芯片能够支持快速的数据读写操作,适用于对响应速度要求较高的应用场合。
其次,MB87S4110的工作电压范围较宽,从2.3V至3.6V,这使得它能够适应不同的电源设计,并具备良好的兼容性。在低电压模式下,芯片仍能保持稳定工作,降低了对电源管理的要求。
此外,该芯片的功耗较低,在正常工作模式下的典型电流仅为100mA,而在待机模式下电流可降至10μA以下,非常适用于对功耗敏感的便携式设备或电池供电系统。
MB87S4110还支持数据保持模式,最低可在1.5V电压下保持数据不丢失,有助于在系统进入低功耗状态时维持关键数据的完整性。
其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,适用于各种严苛环境下的应用,如工业控制、车载设备和户外通信设备等。
封装方面,MB87S4110采用54引脚TSOP封装,具有良好的热稳定性和空间节省特性,适合高密度PCB布局。
MB87S4110广泛应用于需要高速、低功耗和宽工作温度范围的场景。典型应用包括但不限于:工业控制系统中的缓存或数据存储单元;通信设备如路由器、交换机中的临时数据缓冲区;嵌入式系统中的主存储器或图像处理缓冲器;测试与测量仪器中的高速数据采集存储模块;以及车载电子系统中的实时数据处理单元等。
由于其宽温特性和高可靠性,该芯片也常被用于航空航天、国防电子和高端自动化设备中,作为关键存储组件。在医疗电子设备中,MB87S4110也可用于存储实时采集的患者数据或作为系统缓存使用。
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