时间：2025/9/24 14:50:22
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MB87R1180是一款由富士通（Fujitsu）公司推出的高速、低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备可靠的性能和稳定性，广泛应用于需要快速数据存取和高可靠性的工业及通信设备中。MB87R1180的存储容量为1兆位（1Mbit），组织结构为64K x 16位，即具备65,536个地址单元，每个单元可存储16位数据，适合用于需要并行数据处理的应用场景。该芯片支持标准的异步SRAM接口协议，具备地址输入、数据输入/输出、读使能（OE）、写使能（WE）以及片选（CE）等控制信号，便于与多种微处理器、DSP或FPGA系统进行无缝连接。MB87R1180工作电压通常为3.3V，符合现代低电压系统的设计需求，同时具备较低的待机功耗和运行功耗，有助于延长系统电池寿命或降低整体热耗。此外，该芯片封装形式多为小型化TSOP或FBGA类型，适用于空间受限的高密度PCB设计。由于其高性能与可靠性，MB87R1180常被用于网络设备、工业控制模块、测试仪器和嵌入式系统中作为数据缓存或临时存储单元。
型号：MB87R1180
制造商：Fujitsu
存储容量：1Mbit (64K × 16)
电源电压：3.3V ± 0.3V
访问时间：70ns / 90ns / 120ns（根据具体后缀版本）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：48-pin TSOP Type II
组织结构：64K × 16位
输入/输出电平：LVTTL 兼容
最大读取电流：典型值 90mA
待机电流：典型值 20μA（CMOS 待机模式）
写入周期时间：最小 140ns（70ns 版本）
三态输出：支持
控制信号：CE, WE, OE
MB87R1180具备多项关键特性，使其在中高端SRAM应用中表现出色。首先，其高速访问时间为70ns至120ns，可根据具体型号选择不同速度等级，满足从高性能到成本优化的各种系统需求。这种速度使得它能够在微处理器频繁读写操作的环境中提供流畅的数据吞吐能力，特别适合用作缓存或实时数据缓冲区。
其次，该芯片采用3.3V单电源供电，兼容主流逻辑电平，并降低了系统电源设计复杂度。同时，其低功耗特性体现在两个方面：在正常运行时，动态电流消耗较低；而在待机或非选中状态下，通过芯片使能（CE）信号进入CMOS待机模式，静态电流可低至20μA，显著减少系统整体能耗，这对便携式或远程部署设备尤为重要。
再者，MB87R1180具有高可靠性与耐用性。作为SRAM，其无需刷新机制，数据保持稳定，只要供电正常即可持续保存信息。该芯片经过严格的老化测试和环境适应性验证，可在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定运行，适用于恶劣工业环境或户外设备。
其64K x 16位的数据组织方式提供了较宽的数据总线，适合16位微控制器、DSP处理器或图像处理模块使用，避免了多次读写操作带来的延迟。此外，所有输入引脚均具备噪声抑制设计，提高了抗干扰能力，确保在高频切换环境下信号完整性。
封装方面，48引脚TSOP Type II形式不仅节省PCB空间，还支持自动化贴装工艺，提升生产效率。富士通在制造过程中采用高质量材料与先进封装技术，保证了长期供货稳定性和产品一致性。这些综合特性使MB87R1180成为许多工业与通信系统中的首选SRAM器件。
MB87R1180因其高性能和高可靠性，广泛应用于多个技术领域。在通信基础设施中，常用于路由器、交换机和基站设备中的数据缓冲区，用于暂存高速传输的数据包或帧信息，确保无丢失转发和低延迟处理。其16位并行接口能够匹配网络处理器的数据宽度，提升整体系统效率。
在工业自动化领域，该芯片被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制卡中，用于存储实时采集的传感器数据、控制指令或中间运算结果。由于工业现场存在电磁干扰和温度波动，MB87R1180的宽温特性和抗噪能力显得尤为关键。
测试与测量仪器，如示波器、频谱分析仪和数据记录仪，也常采用MB87R1180作为高速采样数据的临时存储单元。其快速访问特性允许设备在高采样率下连续捕获信号，并在后台逐步传输至主处理器或存储介质。
此外，在嵌入式系统和专用硬件模块中，该SRAM可用于扩展主控芯片的内存资源，特别是在FPGA或ASIC外围构建本地存储池，支持图像处理、语音识别或协议转换等计算密集型任务。
医疗设备中的一些便携式诊断仪器也会选用此类低功耗SRAM，以平衡性能与电池续航需求。总之，凡是对存取速度、数据完整性和环境适应性有较高要求的应用场景，MB87R1180都能提供可靠的解决方案。
CY7C1021DV33-70ZSXI
