时间：2025/8/1 13:04:43
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CS14N25A4R 是一款由华润微电子（China Semiconductor Corporation）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。CS14N25A4R 采用先进的沟槽工艺技术制造，确保了优异的电气性能和热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：14A
最大漏-源电压（Vds）：250V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤0.25Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：34nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
CS14N25A4R MOSFET具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。在高电流负载下，该器件依然能够保持较低的温升，从而提高了系统的稳定性和可靠性。
其次，该MOSFET具备较高的耐压能力，最大漏-源电压为250V，适用于中高功率开关电源和DC-DC转换器。其高栅极阈值电压设计（通常在2V~4V之间）有助于防止误触发，提高开关控制的准确性。
此外，CS14N25A4R采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热管理和机械稳定性。该封装支持表面贴装技术（SMT），便于在现代PCB上进行自动化组装。同时，该器件具有良好的散热性能，能够在高负载条件下有效传导热量，延长使用寿命。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在瞬态高电压或高电流条件下保持稳定运行。其沟槽结构设计优化了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
CS14N25A4R广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业控制设备。在电源管理系统中，该器件可用于主开关元件，实现高效能的能量转换。此外，CS14N25A4R也适用于LED照明驱动、UPS（不间断电源）以及太阳能逆变器等高可靠性电源系统。
SiHF14N25D1, FQP14N25C, STF14N25M5, IRF14N25B
