类型：同步突发SRAM
　　容量：1536 Kbit (96K x 16)
　　组织结构：96,384 x 16位
　　供电电压：1.8V ±0.15V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：84-ball FBGA
　　时钟频率：最高支持166 MHz
　　访问时间：约6 ns
　　输入/输出逻辑电平：LVTTL 或 HSTL（依版本而定）
　　数据总线宽度：16位
　　控制信号：时钟（CLK）、芯片使能（CE）、写使能（WE）、输出使能（OE）、地址锁存使能（ADV）
　　突发模式：支持有序列突发和交错突发两种模式
　　刷新机制：无需刷新（静态存储）
　　功耗：典型工作电流约50mA，待机电流低于5μA

MB87Q1530的最大特性之一是其高速同步架构，能够在每个时钟周期内完成一次数据访问操作，极大提升了系统的整体数据吞吐能力。其内部采用全静态CMOS设计，无需动态刷新即可保持数据稳定，降低了控制器的复杂性和系统开销。该芯片支持可配置的突发访问模式，包括线性递增和交错两种方式，用户可根据实际应用需求选择最优的突发顺序，从而提升连续数据读写的效率。地址锁存机制通过ADV信号实现地址的锁存与解复用，减少了引脚数量的同时保证了地址与数据的清晰分离。在功耗管理方面，器件内置深度待机模式，当CE信号有效且无操作进行时，核心电路会自动进入低功耗状态，显著延长便携式或电池供电设备的运行时间。此外，MB87Q1530具备良好的抗噪能力和信号完整性，所有输入输出引脚均经过优化设计，支持高速切换而不产生明显的信号反射或串扰，适用于高密度PCB布局环境。其84-ball FBGA封装具有较小的占板面积和优良的热性能，适合多层板设计并支持自动化贴片工艺。器件还具备宽温工作能力，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适用于严苛的工业和户外应用场景。为了提高系统可靠性，MB87Q1530在制造过程中采用了高可靠性的金属互连和钝化层工艺，增强了抗湿气和机械应力的能力，确保长期使用的稳定性。
　　另一个重要特性是其与主流处理器和ASIC的良好兼容性。由于其采用标准的同步SRAM接口协议，可以轻松集成到使用FPGA（如Xilinx或Intel/Altera）或嵌入式DSP（如TI C6000系列）的系统中。其16位数据总线宽度特别适合处理音频、视频或通信帧数据的实时缓冲需求。此外，该芯片支持流水线操作，允许在当前操作尚未完成时启动下一个地址的访问，进一步提升了带宽利用率。制造商还提供了详细的时序图、AC/DC参数表和应用指南，帮助工程师快速完成原理图设计、PCB布线和时序验证。尽管该型号目前已不再作为主推产品销售，但在二手市场和库存渠道中仍有一定供应，适用于维护现有设备或小批量生产项目。

MB87Q1530主要用于需要高速、低延迟数据存取的电子系统中，尤其是在通信基础设施领域表现突出。它常被用作网络路由器和交换机中的报文缓冲存储器，用于暂存正在转发的数据包，确保高吞吐量下的低延迟处理。在无线通信基站（如4G LTE和早期5G分布式单元）中，该芯片可用于基带处理模块的中间数据缓存，配合FPGA实现快速FFT运算或信道编码/解码任务。此外，在工业自动化控制系统中，MB87Q1530可作为PLC或运动控制器的高速数据记录缓冲区，用于采集传感器实时数据或执行复杂的逻辑运算。测试与测量设备，如示波器、逻辑分析仪和协议分析仪，也广泛采用此类同步SRAM来捕获高速信号并进行后续分析处理。在广播级音视频设备中，该芯片可用于帧缓存或音频样本缓冲，确保媒体流的连续性和同步性。军事和航空航天领域的一些加固型计算平台也会选用该器件，得益于其宽温工作能力和高可靠性。此外，在高端打印机、医疗成像设备和嵌入式视觉系统中，MB87Q1530同样发挥着关键作用，作为图像数据临时存储单元，支持快速渲染和传输。虽然随着技术进步，更高速度和更大容量的QDR SRAM或DDR SDRAM逐渐成为主流，但在某些对成本、功耗和接口复杂度有严格限制的应用中，MB87Q1530仍然具有不可替代的优势。

CY7C1533KV18-GFBAXC
　　IS61WV102416BLL-10BLI
　　AS7C16256ALPFG-10BIN