时间：2025/9/14 10:27:28
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PDTD123EUF 是一款由 Rohm（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频开关应用，适用于消费类电子、工业自动化、电源管理等多种场景。PDTD123EUF 采用紧凑的封装设计，具有较低的导通电阻和良好的热性能，能够在高负载条件下稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：1.5A
最大漏极-源极电压：20V
最大栅极-源极电压：±12V
导通电阻（Rds(on)）：230mΩ @ Vgs=4.5V
导通阈值电压：0.6V ~ 1.5V
功耗：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSMT6
PDTD123EUF 具备多项优良特性，适用于多种电源管理应用。其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下功率损耗最小化，从而提高整体能效。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽广，适用于 1.8V 至 5V 的逻辑电平控制，使其能够与多种微控制器和数字电路兼容。此外，PDTD123EUF 采用小型 TSMT6 封装，节省空间的同时具备良好的散热能力，适合高密度 PCB 设计。
器件的高可靠性得益于其优良的热稳定性和抗静电能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。PDTD123EUF 还具备较强的短路耐受能力，有助于在异常工况下保护电路安全。
PDTD123EUF 主要应用于便携式电子产品、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、LED 驱动电路以及工业控制设备。由于其低导通电阻和小封装特性，特别适用于对空间和能效有较高要求的场合。例如，在移动设备中可用于电源路径管理，在工业自动化系统中可用于继电器替代或马达驱动控制，以及在智能电表中用于高精度电源切换等场景。
DMN6024SFD-13、FDMC6670、Si2302DS、RSD123K-01-F、FDMS3610
