类型: 异步SRAM
　　容量: 128K x 8位（1Mbit）
　　电源电压: 3.3V 或 5V（取决于具体型号）
　　访问时间: 55ns
　　封装形式: 54引脚TSOP
　　工作温度范围: 工业级（-40°C至+85°C）
　　数据输入/输出: 8位
　　功耗: 典型工作电流约100mA

MB87M1710以其高性能和低功耗设计而著称，特别适用于需要快速数据访问的应用场景。其55ns的访问时间使其能够在高速系统中稳定运行，同时CMOS工艺确保了低功耗表现，这对于电池供电或需要减少热量产生的系统至关重要。此外，MB87M1710的封装设计紧凑，便于在高密度电路板上安装，同时提供稳定的电气性能。该芯片还具备宽电压范围操作能力，支持3.3V或5V供电，增强了其在不同系统环境中的适用性。工业级温度范围的设计使其能够在恶劣环境下可靠运行。
　　MB87M1710的另一个重要特性是其异步操作能力，这意味着它不需要时钟信号进行同步，简化了与主控器的接口设计。这种特性使得其在嵌入式系统、网络设备、打印机控制器、工业自动化设备等需要快速存储访问的场景中得到了广泛应用。此外，该芯片的抗干扰能力和数据保持能力在高噪声环境中表现优异，确保了数据的完整性。

MB87M1710广泛应用于各种需要高速缓存或临时数据存储的场景。其主要应用领域包括工业控制系统、网络通信设备、嵌入式系统、打印机和扫描仪控制器、自动化设备以及测试仪器等。由于其高速访问和低功耗特性，该芯片也常用于需要频繁读写操作的场景，如高速缓冲存储器或帧缓存器。

CY62148EVLL-45ZE, IS61LV10248ALLB4-55BLI, IDT71V416SA8B4-55B