时间：2025/5/7 12:43:06
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FHW1210IF8R2JST 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频率、高效能功率开关晶体管，适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，显著提升了系统的效率和功率密度。
此型号为表面贴装封装设计，适合自动化生产，并具有优异的热性能和电气稳定性。其主要用途包括消费电子、工业电源以及通信设备中的高频功率转换模块。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：30A
导通电阻：8.2mΩ
栅极电荷：85nC
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247-4L
1. 高开关频率支持，可达 5MHz，使得磁性元件体积减小，提高功率密度。
2. 极低的导通电阻 (8.2mΩ)，有效降低传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能减少开关损耗，在高频条件下依然保持高效运行。
4. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强器件可靠性。
5. 热性能优越，能够承受较高的结温，确保在严苛环境下的长期稳定工作。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
1. 消费类电源适配器和充电器，例如快充头。
2. 工业级 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
3. 服务器和通信设备的电源模块。
4. 太阳能逆变器及储能系统中的高频功率转换。
5. LED 驱动器和汽车电子中的高效电源解决方案。
FHW1210IF10R0JST, FHW1210IF12R5JST
