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MB87J3010 发布时间 时间:2025/12/29 17:14:48 查看 阅读:15

MB87J3010是一款由富士通(Fujitsu)推出的高性能静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于高速存储器解决方案之一。该芯片主要用于需要快速数据存取的应用场景,例如通信设备、工业控制、嵌入式系统等领域。MB87J3010具有高速访问时间和低功耗特性,能够满足对性能和能效有较高要求的设计需求。

参数

容量:1024字 × 8位(8K位)
  电源电压:3.3V或5V(具体版本可能有所不同)
  访问时间:约10ns(最大频率可达100MHz)
  封装类型:通常为28引脚SSOP或TSOP封装
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  输入/输出电平:兼容TTL/CMOS电平
  数据保持电压:1.5V至3.6V(低功耗模式下)
  封装尺寸:约10.16mm × 7.49mm(SSOP封装)

特性

MB87J3010的主要特性包括高速存取能力、低功耗设计和广泛的电压兼容性。其高速访问时间(10ns)使其适用于需要快速响应的系统,例如网络交换设备和嵌入式处理器系统。芯片支持两种电源电压(3.3V和5V),使其能够适应不同设计需求,同时在低功耗模式下可支持更低的电压,以延长电池供电设备的续航时间。此外,MB87J3010采用了先进的CMOS技术,确保了稳定性和可靠性,适合在工业和高温环境下运行。芯片还支持异步操作模式,允许其与多种控制器和处理器无缝集成。另外,其封装形式紧凑,适合高密度PCB设计,有助于节省空间并提高整体系统集成度。

应用

MB87J3010主要应用于通信设备(如路由器、交换机)、工业控制系统、测试仪器、嵌入式系统、数据采集设备以及需要高速存储的电子设备。其高速访问能力和低功耗特性也使其适用于便携式设备和需要快速数据缓冲的场景。

替代型号

MB87C3010、CY62148、IS61LV25616、AS7C34098

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