型号：MB87D503PFV-G-BND
　　制造商：Fujitsu
　　存储容量：512 Kbit (64 K × 8)
　　接口类型：SPI（串行外设接口），支持模式0和模式3
　　工作电压：2.7V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-TSSOP
　　时钟频率：最高支持10 MHz
　　写耐久性：10^6 次写周期
　　数据保持时间：100 年
　　写保护功能：支持通过WP引脚进行硬件写保护
　　待机电流：典型值1 μA（最大10 μA）
　　工作电流：读取时典型值3 mA
　　组织结构：按字节寻址，支持页写入（最多32字节/页）
　　自定时写周期：典型值5 ms

MB87D503PFV-G-BND具备多项先进特性，确保其在复杂环境下的稳定性和可靠性。
　　首先，该芯片采用SPI接口，支持标准的四线制通信（SI、SO、SCK、CS#），兼容主流微控制器的SPI主机，简化了系统设计与集成。其支持SPI模式0（CPOL=0, CPHA=0）和模式3（CPOL=1, CPHA=1），提高了与不同主控设备的兼容性。在通信性能方面，该器件最高支持10 MHz的时钟频率，能够实现高速数据读写，适用于对响应速度要求较高的应用场景。
　　其次，该芯片具有512 Kbit的存储容量，组织为64K×8位结构，支持字节写入和页写入两种模式。每页可写入最多32字节数据，有效提升批量写入效率。内部集成了写状态寄存器，用户可通过读取状态寄存器判断当前是否处于写操作中，避免因频繁写入导致的数据错误。此外，器件内置自动定时写周期控制电路，在执行写操作后自动启动内部定时器完成数据烧录，无需外部延时控制。
　　再者，MB87D503PFV-G-BND具备高耐久性和长数据保持能力。其写耐久性高达100万次，远超普通EEPROM器件，适合频繁更新数据的应用场景。数据保持时间长达100年，确保信息在断电情况下长期可靠存储。该芯片还支持硬件写保护功能，当WP引脚接地时，所有写操作被禁止，防止误操作或恶意修改关键数据，提升了系统的安全性。
　　最后，该器件采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗仅为1 μA（典型值），非常适合电池供电或节能型系统。其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，满足工业级应用需求，可在恶劣环境下稳定运行。整体而言，MB87D503PFV-G-BND是一款高性能、高可靠性的串行EEPROM，适用于多种对稳定性、安全性和寿命有较高要求的应用场合。

MB87D503PFV-G-BND广泛应用于多个电子领域，尤其适用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统。
　　在工业控制领域，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块和HMI（人机界面）设备中，用于存储设备配置参数、校准数据、运行日志等信息。由于其具备宽温工作能力和高抗干扰性能，能够在工厂复杂电磁环境中稳定运行。
　　在通信设备中，如路由器、交换机、光模块等，该器件用于保存MAC地址、IP配置、固件版本等关键信息。其SPI接口易于与主控芯片连接，且支持快速读取，有助于设备快速启动和初始化。
　　在消费类电子产品中，如智能家电、数码相机、音频设备等，MB87D503PFV-G-BND可用于存储用户设置、音效配置、设备序列号等个性化数据。其小尺寸封装有利于缩小整机体积，符合现代电子产品轻薄化趋势。
　　在汽车电子系统中，该芯片可用于车载信息娱乐系统、ECU（电子控制单元）和仪表盘模块，记录车辆配置、驾驶习惯或故障码信息。其高可靠性与长寿命特性满足汽车级应用对数据完整性的严格要求。
　　此外，在医疗设备、测试仪器和智能电表等领域，该器件也发挥着重要作用。例如，在便携式医疗设备中用于存储患者历史数据或设备校准信息；在智能电表中用于记录用电量、费率设置等关键计量数据。凭借其稳定的性能和良好的兼容性，MB87D503PFV-G-BND已成为众多工程师在设计非易失性存储方案时的优选器件之一。

MB85RS5MT