时间：2025/9/14 9:18:08
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PBSS306PX,115 是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术，适用于高效率的功率开关应用。该器件采用小型DFN1006BD封装，具有低导通电阻和高电流处理能力，适合用于电池管理、负载开关和DC-DC转换器等场景。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：最大50mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN1006BD
安装类型：表面贴装
PBSS306PX,115的主要特性之一是其非常低的导通电阻，在10V栅极驱动电压下可低至50mΩ，这使得该MOSFET在高电流应用中能够保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。
此外，该器件的连续漏极电流能力为6A，能够满足中高功率应用的需求。其TrenchMOS技术提供了优异的开关性能，包括快速的开关速度和较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗并提高了响应速度。
该MOSFET的封装形式为DFN1006BD，属于一种小型化、低高度的表面贴装封装，具有良好的热性能和空间效率，非常适合在空间受限的设计中使用。
其工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其能够在多种环境条件下稳定运行，包括高温工业环境和低温消费电子设备中。
该器件还具有良好的可靠性和稳定性，能够承受较高的机械应力和热循环应力，适用于各种高可靠性要求的应用场景。
PBSS306PX,115广泛应用于需要高效功率管理的电子设备中。例如，在电池供电设备中，该MOSFET可以用作负载开关或电池保护电路的一部分，以实现高效的能量管理和延长电池寿命。
在DC-DC转换器中，PBSS306PX,115可作为主开关器件，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少功率损耗。
此外，该器件还可用于电机控制、LED驱动、电源管理系统以及各种需要高效率功率开关的场合。
由于其小型封装和高性能特性，PBSS306PX,115也非常适合用于便携式电子设备、智能穿戴设备、物联网（IoT）设备以及其他对空间和能效有严格要求的现代电子产品中。
Si2302DS, FDS6680, AO4406A, NDS355AN
