MB87074 时间：2025/12/28 9:41:05 阅读：11

MB87074是富士通（Fujitsu）公司推出的一款CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有高速读写能力和低功耗特性。该器件广泛应用于需要高可靠性和稳定数据存储的工业控制、通信设备和嵌入式系统中。MB87074采用28引脚DIP或SOIC封装形式，兼容标准的微处理器接口时序，适合多种系统设计需求。该芯片内部结构为1K × 8位组织方式，即总容量为8Kb，支持全静态操作，无需刷新电路即可保持数据稳定。其设计注重抗干扰能力与长期运行稳定性，在恶劣环境条件下仍能维持正常工作。
　　作为一款经典的老型号SRAM，MB87074虽然在现代大容量存储应用中已逐渐被更先进的产品取代，但在一些老旧设备维护、军工设备升级以及特定工业现场控制系统中仍然具有重要价值。由于其非易失性虽不自带，但可通过外部备用电源实现数据保存功能，因此常用于关键参数或配置信息的缓存存储场景。此外，该芯片的工作电压范围通常为4.5V至5.5V，符合TTL电平兼容标准，便于与各类逻辑电路直接连接而无需额外电平转换电路。
　　值得注意的是，随着富士通逐步退出通用存储器市场，MB87074目前已属于停产器件，市场上多为库存品或二手翻新件，因此在选型时需特别关注供货渠道的可靠性与器件真伪鉴别问题。尽管如此，因其良好的电气性能和成熟的使用经验，许多设计者仍在延续使用该型号，并通过替代型号进行系统更新迭代。

参数

型号：MB87074
　　类型：CMOS SRAM
　　存储容量：1K × 8位（8Kb）
　　封装形式：28引脚 DIP / SOIC
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：70ns / 100ns / 150ns（根据版本不同）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C（工业级）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　待机电流：≤ 100μA（典型值）
　　工作电流：≤ 35mA（最大值）
　　读写模式：异步随机存取
　　控制信号：CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）

特性

MB87074具备出色的静态保持特性，能够在无刷新状态下持续维持数据完整性，适用于长时间运行且不允许中断的应用场合。其全静态内核设计消除了动态存储器所需的复杂刷新机制，简化了系统硬件设计并提高了整体可靠性。该芯片采用高性能CMOS工艺制造，兼顾了速度与功耗之间的平衡，在保证70ns快速访问的同时，待机状态下的电流消耗极低，有助于延长电池供电系统的使用寿命。
　　该器件具有强大的抗干扰能力和宽温工作范围，可在-40°C至+85°C的极端环境中稳定运行，满足工业自动化、车载电子及户外通信设备等严苛应用场景的需求。所有输入端口均内置施密特触发缓冲器，增强了对噪声和信号畸变的容忍度，确保在长线传输或信号质量不佳的情况下仍能正确识别控制命令和地址信息。
　　MB87074支持三态输出控制，允许多个存储器或其他外设共享同一数据总线，通过片选（CE）和输出使能（OE）信号实现精确的时序协调。写使能（WE）信号独立控制写入操作，防止误写入导致的数据损坏。地址建立时间和保持时间要求合理，易于与多种主流微控制器和微处理器匹配，减少外围延时元件的使用。
　　此外，该芯片经过严格的可靠性测试，包括高温老化、热循环和湿度敏感度评估，确保在长期服役过程中保持稳定的电气性能。虽然目前原厂已停止生产，但其成熟的设计和广泛应用基础使其成为众多替代方案参考的标准之一，尤其在替换老旧设备中的失效芯片时具有重要的参考价值。

应用

MB87074主要用于需要中等容量、高可靠性的静态存储解决方案中。典型应用包括工业控制系统的PLC模块中用于暂存程序参数和实时数据；通信设备如路由器、交换机和基站控制器中作为缓冲存储器使用；医疗仪器中用于保存校准数据和运行日志；测试测量设备中用于采集结果的临时存储。
　　在汽车电子领域，该芯片可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统或车载诊断系统（OBD），特别是在早期车型的设计中较为常见。由于其宽温特性和抗电磁干扰能力强，也适用于铁路信号系统、航空航天地面支持设备以及军事通信终端等高安全性要求的场景。
　　此外，MB87074还广泛应用于各种嵌入式控制系统中，例如POS机、自动售货机、电梯控制器和安防监控主机，作为主控MCU的扩展RAM资源。在一些需要固件快速加载和频繁读写的场合，它可作为Flash存储器的高速缓存层，提升系统响应速度。
　　对于设备维修和技术升级项目而言，MB87074仍是不可或缺的元器件之一，尤其是在维护上世纪90年代至2000年代初期生产的工业设备时，常常需要寻找该型号或其功能兼容的替代品以恢复设备正常运行。