MB87073 时间：2025/12/28 9:25:58 阅读：9

MB87073是富士通（Fujitsu）公司推出的一款CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点。该器件广泛应用于需要稳定数据存储和快速读写响应的嵌入式系统、工业控制设备以及通信模块中。MB87073采用双列直插式封装（DIP）或表面贴装封装（SOP），便于在各种PCB设计中使用。作为一款异步SRAM，它不需要时钟信号即可完成读写操作，通过地址线和控制线（如片选CE、输出使能OE、写使能WE）实现对存储单元的直接访问。该芯片的工作电压通常为5V，兼容TTL电平，适合与多种微控制器、微处理器和逻辑电路配合使用。MB87073的存储容量为2K x 8位，即总共16,384位，组织形式为2048个地址，每个地址存储8位数据。由于其非易失性写保护机制缺失，因此在断电后无法保留数据，需依赖外部电源维持信息存储。该芯片在上世纪80年代至90年代广泛应用，在现代设计中多用于老旧设备维修、替代升级或特定工业场景下的兼容性需求。尽管当前已有更高密度、更低功耗的SRAM产品问世，但MB87073因其稳定性与可获得性，仍在部分领域保持一定的市场存在。

参数

型号：MB87073
　　制造商：Fujitsu
　　类型：CMOS SRAM
　　存储容量：2K x 8位（16Kb）
　　工作电压：5V ±10%
　　访问时间：70ns / 100ns / 150ns（根据版本）
　　封装形式：28引脚 DIP 或 SOP
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　读写控制信号：CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　功耗：典型工作状态约75mW，待机状态约10mW
　　地址线数量：A0-A10（共11位）
　　数据线数量：I/O0-I/O7（8位并行）

特性

MB87073具备多项关键特性，使其在早期数字系统设计中成为可靠的存储解决方案。首先，其采用高性能CMOS工艺制造，能够在保证高速数据存取的同时显著降低功耗，尤其在待机模式下电流消耗极小，有助于延长电池供电系统的运行时间。其次，该芯片支持全静态操作，意味着只要供电正常，无需刷新机制即可保持数据稳定，简化了系统设计复杂度。此外，MB87073提供多种速度等级（如70ns、100ns、150ns），满足不同性能需求的应用场景，用户可根据主控处理器的速度匹配选择合适版本，优化整体系统响应。
　　另一个重要特性是其三重控制线架构（CE、OE、WE），允许精确控制读写时序，防止误操作导致的数据损坏。片选（CE）信号支持多芯片扩展，便于构建更大容量的存储阵列；输出使能（OE）独立控制输出驱动，可在多设备共享数据总线时避免冲突；写使能（WE）则确保写入操作仅在有效指令下执行，提升数据完整性。该器件还具备良好的抗干扰能力和宽温度范围适应性，适用于工业环境中的电磁噪声较强场合。
　　MB87073的引脚布局遵循标准SRAM规范，易于替换同类产品或进行PCB布线设计。其TTL电平兼容性使得它可以无缝连接到广泛的微处理器系统（如Z80、8051、68000等），无需额外电平转换电路。虽然不具备掉电保护功能，但在配备备用电源或超级电容的系统中仍可实现临时数据保存。总体而言，该芯片以其成熟的设计、稳定的性能和长期供货记录，在特定维护和升级项目中依然具有实用价值。

应用

MB87073广泛应用于多种需要中等容量高速随机存储的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制器中的程序缓冲区与数据暂存，例如PLC模块、数控机床和传感器接口单元。在通信设备领域，该芯片常被用于传真机、调制解调器和早期网络交换设备中，作为协议处理过程中的临时数据缓存。此外，在消费类电子产品如打印机、复印机和家用游戏机（特别是第二代至第四代主机）中也可见其身影，主要用于图形帧缓冲或运行时变量存储。
　　由于其异步接口特性，MB87073特别适合与无片上内存的微控制器协同工作，扩展其可用RAM空间。在测试测量仪器如示波器、频谱分析仪中，该芯片用于采集数据的快速暂存，以便后续处理或显示。同时，它也被用于军事和航空电子设备的老旧型号维护中，作为原始设计的指定元器件进行替换维修。尽管现代设计更多采用低电压同步SRAM或嵌入式Flash方案，但在需要保持软硬件兼容性的升级改造项目中，MB87073仍然是不可或缺的选择。此外，教育实验平台和电子爱好者开发板有时也会选用此类经典芯片，用于教授存储器原理和接口时序编程技术。