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MB85RS4MTPF-G-JNE2 发布时间 时间:2025/5/8 8:49:29 查看 阅读:12

MB85RS4MTPF-G-JNE2 是由富士通(Fujitsu)推出的一款铁电随机存取存储器(FRAM),它结合了RAM的高速读写性能和闪存的非易失性。该器件采用串行外设接口(SPI),具有高耐久性、低功耗以及快速写入等特性,非常适合需要频繁数据记录和断电后数据保护的应用场景。
  MB85RS4MTPF-G-JNE2 的容量为512K x 8位(总计4Mb),工作电压范围为1.7V至3.6V,并支持高达4MHz的SPI时钟频率。

参数

容量:512K x 8位 (4Mb)
  接口:SPI
  工作电压:1.7V 至 3.6V
  最大时钟频率:4MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:WLCSP-8 (0.4mm间距)
  引脚数:8
  擦写次数:10^12 次
  数据保存时间:10年

特性

MB85RS4MTPF-G-JNE2 具有以下主要特性:
  1. 高耐久性:支持超过一万亿次的擦写操作,适合频繁更新数据的应用。
  2. 快速写入:无需写入延迟,数据可立即存储。
  3. 低功耗:在待机模式下功耗极低,非常适合电池供电设备。
  4. 非易失性:即使断电也能保留数据。
  5. 简化设计:由于无需像EEPROM或闪存那样进行页面擦除操作,从而简化了系统设计流程。
  6. 工作温度范围宽:能够在工业级温度范围内稳定运行,适用于恶劣环境下的应用。

应用

MB85RS4MTPF-G-JNE2 可广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化:用于实时数据记录和状态监控。
  2. 医疗设备:存储关键患者数据或设备校准信息。
  3. 计量仪表:如智能电表、水表和燃气表中的数据日志记录。
  4. 物联网(IoT):支持低功耗、频繁数据存储需求的物联网终端设备。
  5. 消费电子:例如游戏手柄、便携式设备等需要可靠存储的应用。
  6. 数据记录仪:用于黑匣子或其他需要长期记录且频繁写入的场合。

替代型号

MB85RS4MT-YNE, MB85RS4MTPF-G-NHE

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MB85RS4MTPF-G-JNE2参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式FRAM
  • 技术FRAM(铁电体 RAM)
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织512K x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率40 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间9 ns
  • 电压 - 供电1.8V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP