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MB85RS16PNF 发布时间 时间:2025/8/8 20:47:04 查看 阅读:29

MB85RS16PNF是一款由富士通(Fujitsu)生产的铁电随机存取存储器(FRAM),属于非易失性存储器,具有高速读写、低功耗和高耐久性等特点。与传统的EEPROM或Flash存储器相比,FRAM无需写入延迟时间,可以像SRAM一样快速写入数据,并且在断电后仍能保留数据。该芯片容量为16Kbit,采用工业标准的SPI(串行外设接口)进行通信,适用于需要频繁写入和数据记录的应用场景。

参数

存储器类型:FRAM(铁电存储器)
  容量:16Kbit(2K x 8)
  接口类型:SPI(串行外设接口)
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  最大工作频率:5MHz(SPI)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:8引脚 PDIP 或 8引脚 SOP
  写入耐久性:100亿次(10^10)
  数据保持时间:超过10年
  封装类型:工业级(Industrial Grade)

特性

MB85RS16PNF的最大特点是其非易失性和高速写入能力。FRAM技术使得该芯片在断电时无需备用电源即可保持数据完整,同时支持无限次的读写操作,写入耐久性高达100亿次,远超传统的EEPROM和Flash存储器。此外,该芯片在写入过程中不需要预擦除操作,也没有写入延迟时间,可实现即时数据存储。其SPI接口兼容性强,便于与各种微控制器或处理器进行连接。MB85RS16PNF还具有低功耗特性,适合用于电池供电设备和对功耗敏感的嵌入式系统。芯片内置的数据保护机制可防止意外写入,提高数据存储的可靠性。

应用

MB85RS16PNF广泛应用于需要高频数据记录和非易失性存储的场景,如工业控制系统、智能仪表、自动售货机、POS终端、医疗设备、环境监测设备以及物联网(IoT)设备等。由于其无延迟写入和高耐久性,该芯片特别适用于需要频繁更新和保存关键数据的场合,例如日志记录、传感器数据采集、设备配置存储等。

替代型号

FM25V01-G / MB85RS16VYXF

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