时间：2025/7/11 8:42:06
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MB85RS16NPNF-G-JNERE1 是一款基于 FRAM（铁电随机存取存储器）技术的非易失性存储器芯片。该器件提供高速写入、低功耗以及卓越的数据保存能力，适用于需要频繁数据记录和长时间数据存储的应用场景。
FRAM 技术结合了 RAM 的高速读写特性和闪存的非易失性特点，使得 MB85RS16NPNF-G-JNERE1 成为一种理想的嵌入式存储解决方案。
容量：16Kb (2048 x 8)
接口类型：SPI
工作电压：1.8V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：8-pin SOIC
数据保存时间：超过10年
擦写次数：超过10万亿次
MB85RS16NPNF-G-JNERE1 提供高速 SPI 接口，支持高达 20 MHz 的时钟频率，能够实现快速数据传输。
该芯片具有超低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，非常适合电池供电设备。
其非易失性存储功能确保即使在断电情况下，数据也能被安全保存。
由于采用了 FRAM 技术，该器件在写入数据时无需等待时间，避免了传统 EEPROM 和闪存可能存在的写入延迟问题。
此外，MB85RS16NPNF-G-JNERE1 具备强大的抗辐射性能，适合工业和汽车等恶劣环境下的应用。
该芯片广泛应用于各种需要频繁数据记录的场合，例如工业自动化设备中的日志记录、医疗设备中的患者数据存储、消费类电子产品中的设置参数保存，以及物联网设备中的状态监控数据存储。
其高可靠性还使其成为汽车电子领域的重要组件，可用于记录行驶数据、诊断信息和其他关键数据。
此外，MB85RS16NPNF-G-JNERE1 还常用于需要长寿命和高耐用性的应用场景，如智能仪表、环境监测设备和安防系统。
MB85RS16TYFN-G-JNERE1
MB85RS16NPNF-G-LNERE1
