IRLI620A是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)生产。这种晶体管设计用于高功率开关应用,能够处理高电压和大电流,广泛应用于电源转换器、电机控制、DC-DC转换器、负载开关和功率放大器等电路中。IRLI620A采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的热性能和电气性能,适合表面贴装(SMD)工艺。由于其高效率和可靠性,IRLI620A在工业控制、汽车电子、消费类电子和通信设备中得到了广泛应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):200V
连续漏极电流(ID):3.2A
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):1.75Ω @ VGS = 10V
功率耗散(PD):50W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装:TO-252(DPAK)
IRLI620A是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有优异的导通性能和快速开关特性,适用于多种功率控制和转换应用。其最大漏源电压为200V,能够在高电压环境下稳定工作。该器件的连续漏极电流为3.2A,在适当的散热条件下可以承受较大的负载电流。导通电阻RDS(on)为1.75Ω,在VGS为10V时,确保了较低的导通损耗,从而提高了系统的整体效率。此外,该MOSFET的栅源电压范围为±20V,使其在控制电路中具有较高的灵活性和安全性,避免了因过高的栅极电压而导致的损坏。
IRLI620A采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的热管理能力,能够在较高功率下保持稳定的工作温度。该封装形式也便于表面贴装,提高了生产效率和可靠性。MOSFET的功率耗散能力为50W,使其能够在较高的工作条件下保持良好的性能。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于多种环境条件,包括工业和汽车应用中的极端温度环境。
这款MOSFET具有快速的开关特性,能够在高频条件下工作,适用于DC-DC转换器、电机驱动器和开关电源等应用。由于其低导通电阻和快速响应能力,IRLI620A可以有效降低能量损耗,提高系统的效率和稳定性。此外,该器件的可靠性和耐用性使其成为工业控制、电源管理和汽车电子中的理想选择。
IRLI620A适用于多种功率电子应用,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关、电池管理系统、功率放大器以及工业自动化设备。在电源管理领域,该MOSFET可用于高效率的电压转换电路,提供稳定的输出电压。在电机控制中,它可以作为功率开关来驱动直流电机或步进电机。此外,IRLI620A也适用于消费类电子产品、汽车电子系统和通信设备中的功率控制模块。
IRF540N, IRFZ44N, IRFP250N