时间：2025/8/25 7:27:40
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IRLI620A是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）生产。这种晶体管设计用于高功率开关应用，能够处理高电压和大电流，广泛应用于电源转换器、电机控制、DC-DC转换器、负载开关和功率放大器等电路中。IRLI620A采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和电气性能，适合表面贴装（SMD）工艺。由于其高效率和可靠性，IRLI620A在工业控制、汽车电子、消费类电子和通信设备中得到了广泛应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
连续漏极电流（ID）：3.2A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.75Ω @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：TO-252（DPAK）
IRLI620A是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有优异的导通性能和快速开关特性，适用于多种功率控制和转换应用。其最大漏源电压为200V，能够在高电压环境下稳定工作。该器件的连续漏极电流为3.2A，在适当的散热条件下可以承受较大的负载电流。导通电阻RDS(on)为1.75Ω，在VGS为10V时，确保了较低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，使其在控制电路中具有较高的灵活性和安全性，避免了因过高的栅极电压而导致的损坏。
IRLI620A采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理能力，能够在较高功率下保持稳定的工作温度。该封装形式也便于表面贴装，提高了生产效率和可靠性。MOSFET的功率耗散能力为50W，使其能够在较高的工作条件下保持良好的性能。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于多种环境条件，包括工业和汽车应用中的极端温度环境。
这款MOSFET具有快速的开关特性，能够在高频条件下工作，适用于DC-DC转换器、电机驱动器和开关电源等应用。由于其低导通电阻和快速响应能力，IRLI620A可以有效降低能量损耗，提高系统的效率和稳定性。此外，该器件的可靠性和耐用性使其成为工业控制、电源管理和汽车电子中的理想选择。
IRLI620A适用于多种功率电子应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关、电池管理系统、功率放大器以及工业自动化设备。在电源管理领域，该MOSFET可用于高效率的电压转换电路，提供稳定的输出电压。在电机控制中，它可以作为功率开关来驱动直流电机或步进电机。此外，IRLI620A也适用于消费类电子产品、汽车电子系统和通信设备中的功率控制模块。
IRF540N, IRFZ44N, IRFP250N
