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MB85RC128PNF-G-JNERE1 发布时间 时间:2025/7/24 18:38:52 查看 阅读:8

MB85RC128PNF-G-JNERE1 是富士通(Fujitsu)生产的一款FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,型号为 MB85RC128,容量为128K位(16K x 8)。该芯片采用I2C接口通信,具备非易失性存储特性,能够在低功耗条件下快速读写。该器件适用于需要高频写入和高可靠性数据存储的应用场景。

参数

容量:128Kbit (16K x 8)
  接口类型:I2C
  工作电压:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  最大写入频率:400kHz(1MHz 可选)
  封装形式:8引脚 DIP
  存储器类型:非易失性FRAM
  读写耐久性:10^10 次/位
  数据保持时间:10年(无需电源)

特性

MB85RC128PNF-G-JNERE1 是一款基于铁电存储技术(FRAM)的非易失性存储器芯片,其核心优势在于其极高的写入耐久性和快速的读写速度。相比传统的EEPROM和Flash存储器,FRAM技术允许几乎无限次的写入操作,写入耐久性可达10^10次/位,大大延长了存储器的使用寿命。
  该芯片采用标准I2C总线接口,兼容广泛使用的微控制器和嵌入式系统,最大通信速率可达400kHz(部分型号支持1MHz),适用于需要频繁写入数据的应用场景。此外,MB85RC128不需要备用电源即可保持数据长达10年以上,具备极强的低功耗特性。
  MB85RC128PNF-G-JNERE1 支持宽电压范围(2.7V至3.6V),使其适用于各种电池供电设备和工业控制系统。其工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级应用对环境温度的严苛要求,适用于智能电表、医疗设备、工业控制设备、POS终端等需要高可靠性和高性能数据存储的场合。

应用

MB85RC128PNF-G-JNERE1 主要用于需要高写入耐久性和非易失性存储的系统中,例如工业自动化控制系统、智能仪表、医疗设备、安防系统、数据采集设备以及POS终端等应用场景。由于其具备快速写入、无需擦除、高耐久性等优点,该芯片特别适合用于记录实时数据、日志存储、配置参数保存等对数据完整性要求较高的任务。
  在工业控制系统中,MB85RC128可用于存储设备状态、运行参数和故障记录,确保即使在电源中断的情况下也不会丢失关键数据。在医疗设备中,该芯片可用来保存患者数据、设备设置和操作日志,提高系统的可靠性和安全性。此外,在智能电表和能源管理系统中,MB85RC128可实现高频次的数据采集和存储,避免传统EEPROM因写入次数限制而导致的寿命问题。

替代型号

FM24CL16B, CYFM25L1606A, MB85RC256VNPNF-G-JNERE1

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MB85RC128PNF-G-JNERE1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式FRAM
  • 技术FRAM(铁电体 RAM)
  • 存储容量128Kb
  • 存储器组织16K x 8
  • 存储器接口I2C
  • 时钟频率400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间900 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP