晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（典型值3.8mΩ）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　安装类型：表面贴装
　　技术：增强型MOSFET

ST20184/B4A-LF 具有多个关键特性，使其适用于高功率和高频应用。
　　首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它有助于减少热量产生并提高可靠性。
　　其次，该MOSFET采用了先进的Power MOSFET技术，提供了卓越的热性能和电气性能，使其能够在高温环境下稳定工作。此外，其高电流处理能力（最大180A）使其适用于高功率密度设计，例如电动汽车充电器、太阳能逆变器和工业电源系统。
　　该器件的TO-263（D2PAK）封装形式不仅提供了良好的热管理和机械稳定性，还支持表面贴装工艺，提高了生产效率和电路板集成度。
　　此外，ST20184/B4A-LF 的栅极驱动要求较低，支持快速开关操作，从而减少了开关损耗，提高了系统的响应速度。其±20V的栅源电压耐受能力也增强了在高压或噪声环境下的可靠性。
　　总体而言，ST20184/B4A-LF 是一款高性能功率MOSFET，适用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的现代电子系统。

ST20184/B4A-LF MOSFET 主要应用于需要高电流和高效率的电力电子系统。例如，它广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统，适用于服务器电源、电信设备和工业控制电源模块。
　　此外，该器件也常用于电机控制和驱动器系统，如电动工具、电动汽车（EV）充电系统和电机逆变器。在这些应用中，其低导通电阻和高电流能力可以有效降低功耗并提高系统效率。
　　ST20184/B4A-LF 还可用于LED照明系统中的恒流驱动电路，提供稳定可靠的电源管理解决方案。
　　在工业自动化领域，该MOSFET常用于可编程逻辑控制器（PLC）、继电器驱动器和高功率传感器接口电路，以实现高效、可靠的开关控制。
　　最后，在太阳能逆变器和储能系统中，该器件用于高效转换和调节电能，满足绿色能源系统对高效率和长期稳定性的需求。

IRF1405, STP180N6F7, IPW90R150P7