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MB85RC04V 发布时间 时间:2025/7/14 16:14:59 查看 阅读:10

MB85RC04V是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的非易失性铁电存储器(FRAM),具有高速读写能力和高耐久性。这款芯片采用了先进的铁电技术,使其在性能和可靠性方面优于传统的EEPROM和Flash存储器。MB85RC04V具有4K位的存储容量,采用I2C接口进行通信,适用于各种需要高性能和可靠性的应用。

参数

存储类型:FRAM
  存储容量:4Kbit(512 x 8)
  接口类型:I2C
  工作电压:2.7V至3.6V
  最大时钟频率:1MHz(I2C模式)
  数据保持时间:10年(在+85°C下)
  擦写次数:10^12次
  封装形式:8引脚DIP或SOP

特性

MB85RC04V的主要特性包括其卓越的读写性能和极高的耐久性。由于采用了铁电存储技术,它可以在非常低的功耗下实现高速数据写入,并且不需要等待时间,这意味着它可以像RAM一样快速访问,同时在断电时保持数据不变。此外,MB85RC04V的数据保持能力长达10年,在高温环境下也能保持稳定的工作性能。它的擦写次数高达10^12次,远远超过传统EEPROM和Flash存储器的寿命。
  该芯片还具备良好的抗辐射能力和宽广的工作温度范围,能够在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)稳定工作。这使得MB85RC04V非常适合用于对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。

应用

MB85RC04V广泛应用于需要高频数据记录和高可靠性的设备中,如工业自动化控制系统、智能仪表、医疗设备、汽车电子系统以及安防监控设备。由于其低功耗和高速写入能力,它也非常适合用于电池供电设备和实时数据采集系统。例如,在智能电表中,MB85RC04V可以用来存储用户的用电数据;在医疗设备中,它可以用于保存关键的患者监测数据;在汽车电子系统中,它可以用于记录车辆运行状态和故障信息。

替代型号

FM24CL04B, CY8C15410A

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