时间：2025/7/16 14:09:31
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MB84VD22091EA 是一款由松下（Panasonic）推出的非易失性 SRAM 芯片，具有铁电存储器（FeRAM）技术特性。该芯片结合了SRAM的高速读写性能和非易失性存储的优势，能够在断电后保存数据，同时具备极高的读写耐久性和低功耗特点。它广泛应用于需要高可靠性、快速响应以及频繁数据存储的场景，如工业控制、医疗设备、汽车电子和消费电子产品。
MB84VD22091EA 提供了大容量的存储空间，并支持多种工作电压范围，以适应不同的应用需求。此外，其引脚设计兼容传统SRAM芯片，便于系统升级或替代使用。
存储容量：2Mb（256K x 8位）
接口类型：并行接口
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：44 引脚 TSOP-II 封装
数据保持时间：超过10年
读写耐久性：超过10^12 次循环
1. 非易失性存储功能：即使在断电情况下，数据也能长期保存，无需额外电池支持。
2. 极高的读写速度：与传统SRAM相同的速度表现，延迟时间短。
3. 低功耗设计：在读写操作时消耗较少的能量，适合对功耗敏感的应用场景。
4. 高读写耐久性：能够承受高达10万亿次的读写循环，确保长时间稳定运行。
5. 广泛的工作温度范围：适用于各种环境条件下的工业和消费类设备。
6. 兼容性强：引脚排列和电气特性与标准SRAM兼容，方便进行设计替换。
MB84VD22091EA 主要用于需要高性能、高可靠性和非易失性存储的场合，具体包括但不限于以下领域：
1. 工业自动化控制设备中的数据记录与参数存储。
2. 医疗设备中关键数据的实时备份和保存。
3. 汽车电子系统的日志记录及配置信息管理。
4. 便携式消费电子产品中的用户设置和历史数据存储。
5. 物联网节点设备的数据采集与暂存。
MB85RC2MT, CY15B104Q, FM25W256
