类型：FPM DRAM
　　容量：16Mb (2M x 8 / 1M x 16)
　　电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：85ns
　　封装形式：400mil SOJ-32
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　数据宽度：8/16位可配置
　　刷新周期：8ms（典型值）
　　最大功耗：典型值为500mW（取决于使用频率）
　　时钟频率：无内部时钟（异步操作）
　　输入/输出逻辑电平：LVTTL兼容

MB84VD21182DA-85具备多项关键特性，使其在众多FPM DRAM产品中脱颖而出。首先，该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，显著降低了静态和动态功耗，特别适合长时间运行且对热管理有要求的系统环境。其3.3V供电设计不仅与大多数现代微处理器和控制器兼容，还减少了电源转换损耗，提高了整体系统的能效。其次，该器件支持快速页模式访问，允许在同一行地址内连续读取多个列地址的数据而无需重复激活行地址，从而大幅提升突发数据传输效率。这种机制在处理图像数据、缓冲队列或顺序访问存储区域时尤为有效。
　　此外，MB84VD21182DA-85提供了灵活的组织结构，用户可根据系统需求将其配置为2M x 8（8位数据总线）或1M x 16（16位数据总线）模式，极大增强了其在不同架构平台上的适用性。这种灵活性使得它既可以用于8位单片机扩展，也可集成到16位或32位嵌入式处理器系统中作为主存或帧缓冲。
　　该芯片还具备完整的片上刷新控制逻辑，支持CAS Before RAS（CBR）刷新模式，简化了外部控制器的设计负担。通过标准的RAS、CAS、WE等控制信号实现异步读写操作，接口协议清晰明了，便于硬件工程师进行电路设计和调试。同时，其SOJ-32封装具有较小的占地面积和良好的焊接可靠性，适合自动化贴片生产，并能在较宽的工业级温度范围内稳定工作。
　　值得一提的是，MB84VD21182DA-85在抗干扰能力和信号完整性方面进行了优化设计，输入端带有施密特触发器功能，提升了噪声容限；输出驱动能力适中，避免了过冲和振铃现象，确保在复杂布线环境下仍能保持数据准确传输。这些特性共同构成了一个稳定、可靠、易于集成的存储解决方案，尤其适用于通信基站、工控HMI、打印机引擎控制板等对长期供货和稳定性要求较高的领域。

MB84VD21182DA-85主要应用于需要中等容量、中高速度且注重稳定性的嵌入式系统和工业电子设备中。其典型应用场景包括网络通信设备，如路由器、交换机和接入点中的数据包缓冲存储，利用其快速页模式特性高效处理连续的数据流；在工业自动化控制系统中，常被用作PLC（可编程逻辑控制器）或人机界面（HMI）设备的临时数据存储单元，用于缓存实时采集的传感器信息或显示图像数据。
　　另一重要应用领域是办公自动化设备，例如激光打印机、多功能一体机等，其中该芯片可用于存储打印页面的位图图像或字体缓存，其16Mbit容量足以支持A4幅面中等分辨率（如300dpi）的页面渲染需求。由于这类设备通常运行在非连续高负载状态，FPM DRAM的响应速度和成本优势显得尤为突出。
　　此外，该器件也常见于医疗仪器、测试测量设备以及车载信息终端等对元器件寿命和供货周期有严格要求的行业。在这些应用中，系统往往需要长期稳定运行，且升级换代周期较长，因此选用经过市场验证、生命周期长的成熟器件至关重要。MB84VD21182DA-85凭借富士通品牌的品质保障和广泛的行业认可度，成为许多OEM厂商的首选DRAM方案之一。
　　虽然目前主流消费类电子产品已普遍采用同步DRAM技术（如DDR），但MB84VD21182DA-85仍在特定细分市场保持着活跃地位，特别是在那些无需高频带宽、更关注系统稳定性、电磁兼容性和长期可用性的场合。随着部分老旧设备仍在维护和生产，该型号依然具有一定的市场需求和技术延续价值。

IS42S16100D-7T