时间：2025/8/9 7:03:59
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C5679 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于电源管理和功率放大电路中。这款 MOSFET 具有高性能的导通电阻和快速的开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、开关电源以及电机驱动等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：30A
漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 50mΩ（在 Vgs=10V 时）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
C5679 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻低至 50mΩ，有效降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。此外，该器件采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能和稳定性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持在 10V 至 20V 之间工作，使其能够兼容多种驱动电路。其快速的开关速度和低输入电容特性，有助于减少开关损耗并提高响应速度。
此外，C5679 具有良好的热稳定性和过载保护能力，适合在苛刻的工作环境下使用。由于其高性能和可靠性，C5679 常被用于工业电源、电动车驱动、电源适配器等高功率应用领域。
C5679 主要用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机控制器、逆变器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也广泛用于消费类电子产品中的电源管理电路。
IRFZ44N, FDP6675, Si4410DY
