MB8464R-10L 是富士通(Fujitsu)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于高速低功耗CMOS SRAM系列。这款芯片的容量为8K x 8位,采用55ns的访问速度,适用于需要快速数据存取的工业和通信应用。MB8464R-10L采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,具有较小的体积和较高的集成度,适合嵌入式系统、网络设备、工业控制设备等应用场景。
容量:64Kbit(8K x 8)
访问时间:55ns
电源电压:3.3V
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
I/O接口类型:并行
功耗:典型值约100mA
封装引脚数:28-pin
MB8464R-10L 是一款高性能的CMOS静态RAM,具有高速访问时间和低功耗的特点。该芯片在55ns的访问时间内能够提供快速的数据读写操作,适用于对时间敏感的应用场景。其3.3V的电源电压设计使其在降低功耗的同时保持了与现代微处理器的兼容性。此外,MB8464R-10L采用了先进的CMOS技术,确保了在高温和高负载条件下的稳定运行。
这款SRAM芯片还具备自动省电模式功能,在不进行数据访问时可自动进入低功耗状态,从而减少整体功耗。TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了抗干扰能力,适用于高密度PCB设计。该芯片还具备良好的抗静电能力和可靠性,能够在严苛的工业环境中稳定工作。
MB8464R-10L 通常应用于需要高速数据存储和快速访问的设备中,如工业控制系统、通信设备、路由器、交换机、测试仪器以及嵌入式系统等。由于其低功耗和高速特性,它也适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场景。此外,该芯片还可用于图像处理、数据缓存、高速缓存存储等需要快速响应的任务中,为系统提供可靠的数据存储支持。
ISSI IS62WV5128ALLBLL-55BLY3.3, Cypress CY62148EVLL-45ZSXI, Renesas IDT71V416SA10Y.55TF